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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)...
2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1.6k 0
智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄
10月18日，智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄，斬獲最高等級認(rèn)定。
2023-10-26 標(biāo)簽：開關(guān)電源電力系統(tǒng)功率器件 1.6k 0
德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列
采用熱增強(qiáng)封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開關(guān)損耗降低 50%。
2024-03-06 標(biāo)簽：變壓器德州儀器功率轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
德州儀器（TI）近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...
2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外格局生變
美國“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容：一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，并為企業(yè)提供價值240...
2022-09-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1.5k 0
Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對AR而言具有主要優(yōu)勢。但同時，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...
數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備
在英語里，ready是很有意思的一個詞，它在不同的語境下會有完全不同的意思。有一大屋子女兒時，ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備；而準(zhǔn)備的時間絕不會少...
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模
德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上已有 GaN ...
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開始在各個領(lǐng)域...
根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù)，2022 年通富微電是全球第四，中國大陸第二 OSAT 廠商，全球市占率 6.51%。公司收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容？? 氮化鎵充電器常用貼片Y電容，主要是因為它具有以下幾個優(yōu)點(diǎn)： 1. 體積小 貼片Y電容的尺寸較小，體積小巧，可以方...
先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機(jī)身+LED燈帶設(shè)計，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。
近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U...
英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場
近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...
2025-01-06 標(biāo)簽：電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.5k 0
合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密
引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面...
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltr...
2024-04-25 標(biāo)簽：SiP氮化鎵Transphorm 1.5k 0
PI宣布推出InnoMux-2系列單級獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC
PI今日宣布推出InnoMux-2系列單級獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC。InnoMux-2 IC將AC-DC和后級DC-DC變換級整合到單個芯片中，...
由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動系統(tǒng)引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動系統(tǒng)氮化鎵 1.5k 0
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