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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下...
在功率半導體行業(yè)，納微半導體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領導者的地位。值此成立十周年之際，納微半導體回顧了其一路走來的輝煌歷...
隨著氮化鎵技術的逐漸成熟，越來越多的AC/DC轉換器采用氮化鎵作為開關元件，以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術的應用中，導電性電容器也扮演著重要的角色。
針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，能夠...
氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
2023-03-03 標簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡 1.6k 0
恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現(xiàn)高能效移動網(wǎng)絡
減少能耗是電信基礎設施的一個主要目標，其中每一點效率都至關重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一...
憑藉在第三代半導體GaN制造方面的專業(yè)知識、強大科研技術團隊及研發(fā)能力，宏光半導體近年積極實現(xiàn)相關業(yè)務轉型。集團之技術團隊利用其豐富經(jīng)驗，在短短三個月調...
用于控制電力的功率半導體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導體以純電動汽 用于控制電力的功率半導體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化...
納微半導體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...
英飛凌氮化鎵技術賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日宣布將為Enphase Ener...
CNBC專訪納微半導體：全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設計中心展望及新聞稿
美西時間2月4日，納微半導體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示，電動汽車是納微下一個目標市場。
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關IC專為服務器、個人電腦待機電源以及功率高達220W、電壓高達1250V的工業(yè)...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實現(xiàn)高效輸出
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。創(chuàng)...
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
電源適配器（Power adapter）是小型便攜式電子設備及電子電器的供電電源變換設備，一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成。
對于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導通和開關性能，這種性能提...
隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應用領域的快速發(fā)展，第三代半導體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發(fā)展機遇。聞泰科技已布局GaN領域多年，憑借卓越的...
多年來，設計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設備或技術成熟度——...
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