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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件。可以顯著降低功率損耗和散熱負載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可...
納微半導體誠邀您參與 2022 年 CES ，參與特斯拉抽獎
在即將召開的 2022 年的CES上，氮化鎵 （GaN） 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克交易代碼：NVTS）將展示其業(yè)務拓展計劃，其業(yè)務范圍將...
英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...
石墨烯芯片半導體產(chǎn)業(yè)，引領(lǐng)我們告別硅時代？
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應用領(lǐng)域（如高頻、高功率電子器件）中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域，提供硅難...
GaN Systems公司和合作伙伴應對零排放挑戰(zhàn)
氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領(lǐng)導者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應對凈零...
目前，我們正處于能源轉(zhuǎn)型期，亟需采取行動以應對全球變暖，確保未來的美好生活。為實現(xiàn)這個目標， 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經(jīng)...
PI新品：集成氮化鎵開關(guān)的高效、可編程開關(guān)IC
Power Integrations正式推出使用有源鉗位的數(shù)字可編程反激式氮化鎵開關(guān)IC，是適用廣泛、高效，而且尺寸極小的產(chǎn)品系列。 11月15日，作為...
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導體產(chǎn)品，此舉標志著該公司在GaN半...
氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構(gòu)Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家，更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
3月11日，英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.（Nasdaq代碼：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站...
我經(jīng)常感到的奇怪的是，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市...
2017-04-18 標簽：氮化鎵 881 0
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出，為產(chǎn)品升級...
氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；促...
在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關(guān)
本文將討論三個貢獻。它將通過對 N 相切換和分相切換方案進行比較并突出它們的優(yōu)勢來初步分析它們。對于小負載，N 相方案效率更高，而分相方案適用于較重的負...
2022-07-26 標簽：轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 875 0
Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級封裝器件，支持多功率等級，為客戶創(chuàng)造競爭優(yōu)勢
Weltrend新參考設(shè)計表明，擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...
2024-01-03 標簽：氮化鎵 873 0
Hanebeck曾提到英飛凌準備斥資數(shù)十億歐元進行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導體材料供應方面，特別是碳化硅 (SiC)。
作為電源電子工程師，有一個說法是沒有成功不基于電源設(shè)備爆炸的教訓。這在我多年調(diào)試基于硅的MOSFET的開關(guān)模式電源的經(jīng)驗中似乎是真的。正是通過嘗試、錯誤...
CES 創(chuàng)新獎（CES Innovation Awards）計劃由消費技術(shù)協(xié)會（CTA）? 運營，是一項年度競賽，旨在表彰 27 個消費技術(shù)產(chǎn)品類別中...
從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術(shù)越來越成熟。
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