德州儀器：更少功耗，完成更多任務(wù)

我們當(dāng)前的環(huán)境與通過技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的彼此之間的可訪問性息息相關(guān)。想象一下你每天多么依賴筆記本電腦和智能手機(jī)，以及通過云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)的視頻會(huì)議應(yīng)用。這些都需要更...

2020-09-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵云服務(wù)器 828 0

車規(guī)氮化鎵功率模塊

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...

2023-11-28 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 815 0

GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件

如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵...

2023-08-03 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 798 0

氮化鎵應(yīng)用拓展 向多個(gè)市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)

在數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、汽車、通信電源等市場(chǎng)，對(duì)產(chǎn)品功率密度、能效、開關(guān)頻率、熱管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低...

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵光伏逆變器 783 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高...

2023-04-19 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 776 0

CGD 將首次亮相中國(guó) PCIM Asia（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

誠(chéng)邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國(guó)際博覽中心參觀 2G18 展位 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09 標(biāo)簽：氮化鎵HEMT 763 0

NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)

該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN通用汽車 756 0

氮化鎵，說不完的話題

希望昨晚舉行的2015 APEC（國(guó)際電力電子應(yīng)用會(huì)議暨展覽會(huì)）座談會(huì)能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多，但似乎也過于夸大這一話題了。多少次，我...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 735 0

如何將化鎵器件耐壓提升到更高水平

PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù)，在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個(gè)方面，從外延生長(zhǎng)到晶...

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 709 0

MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代？

與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...

2023-09-14 標(biāo)簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 693 0

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場(chǎng)潛力？

與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 672 0

揭秘寬禁帶器件檢測(cè)要點(diǎn)？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 622 0