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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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      碳化硅技術(shù)

      全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

      全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

      SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預(yù)計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

      2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 1.3k 0

      碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

      碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

      汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機（ICE）汽車到電動汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下，預(yù)計到45年，電動汽車將達到新車總銷量的...

      2023-09-20 標簽：電動汽車IGBT晶體管 1.3k 0

      碳化硅將綠色替代品帶入良性循環(huán)

      太陽能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面，微型逆變器支持1-4個面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...

      2023-05-19 標簽：太陽能逆變器碳化硅 1.3k 0

      碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略

      碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略

      摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...

      2025-08-27 標簽：晶圓測量碳化硅 1.3k 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...

      2023-12-28 標簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.3k 0

      為您的設(shè)計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.3k 0

      碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

      　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

      2023-12-26 標簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.3k 0

      【新啟航】國產(chǎn) VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

      【新啟航】國產(chǎn) VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

      本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設(shè)備...

      2025-08-15 標簽：測量儀半導(dǎo)體制造碳化硅 1.3k 0

      SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢

      SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢

      全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

      2023-07-06 標簽：德州儀器能源碳化硅 1.3k 0

      碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

      在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

      2024-04-26 標簽：逆變器功率器件SiC 1.3k 0

      碳化硅肖特基二極管的特點

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

      2023-02-09 標簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

      碳化硅功率器件特性及基本原理

      碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導(dǎo)率。

      2024-03-19 標簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 1.3k 0

      天津大學(xué)團隊開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀元

      天津大學(xué)團隊開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀元

      石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

      2024-01-08 標簽：電子元件石墨烯碳化硅 1.3k 0

      安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

      在全球氣候變化日益嚴峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟發(fā)展，旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

      2025-01-15 標簽：安森美電源技術(shù)SiC 1.3k 0

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      當(dāng)然，D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝，適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...

      2023-02-17 標簽：場效應(yīng)管晶體管碳化硅 1.3k 0

      【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的性能與適用場景

      【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的性能與適用場景

      摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標，并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實驗室、現(xiàn)場檢測等場景，探討...

      2025-08-29 標簽：晶圓測量設(shè)備碳化硅 1.3k 0

      安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進

      安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進

      隨著電動汽車動力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場的增長。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

      2024-12-26 標簽：MOSFET安森美碳化硅 1.3k 0

      碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽能逆變器

      碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽能逆變器

      隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高，光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件，碳化硅功率器件能帶來更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗，從...

      2023-07-13 標簽：MOSFET太陽能逆變器 1.3k 0

      繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

      繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

      繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。

      2024-02-27 標簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 1.3k 0

      【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

      【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

      摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...

      2025-08-08 標簽：晶圓碳化硅新啟 1.3k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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        TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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