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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.4k 0

探索 onsemi NDSH30120C-F155：碳化硅肖特基二極管的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率半導體器件的性能對于整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NDSH30120C-F...

2025-12-01 標簽：肖特基二極管碳化硅功率半導體器件 1.4k 0

全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示

寬禁帶半導體往往具備高的擊穿場強、高的電子飽和速度和強的抗輻射等特性，在全球半導體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

2023-07-24 標簽：新能源汽車 MOSFET 變頻器 1.4k 0

電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)核心技術(shù)是什么

基于第1部分，電機動力對多數(shù)用戶已經(jīng)夠用甚至過剩的前提，下圖是某電機能效Map圖，可以清楚看到，在多數(shù)日常使用轉(zhuǎn)速區(qū)間內(nèi)，電機的能效都是在90%以上的。...

2023-09-27 標簽：電機控制減速器碳化硅 1.4k 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學高效的快速診斷流程，并提出針對性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異...

2025-08-14 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.4k 0

碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標簽：pcb 功率器件 SiC 1.4k 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1.4k 0

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

摘要本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題，深入分析影響測量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升...

2025-08-12 標簽：晶圓測量碳化硅 1.4k 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 1.4k 0

未來的重點方向：Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

2023-03-24 標簽：IGBT 晶體管碳化硅 1.4k 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應(yīng)問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測量技術(shù)改進及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 T...

2025-08-26 標簽：測量碳化硅 1.4k 0

電動汽車的高效電源管理

電動汽車正變得越來越流行，其在質(zhì)量、功能簡單以及最重要的能源效率方面具有環(huán)保特性。功能推力由電動機驅(qū)動，與內(nèi)燃機相比，其結(jié)構(gòu)簡單。在能效方面，燃油車和電...

2022-08-09 標簽：電動汽車電源管理碳化硅 1.4k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨特的物理和化學屬性，...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.4k 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業(yè)，因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 1.4k 0

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經(jīng)理電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC...

2025-02-22 標簽：JFET 晶體管碳化硅 1.4k 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 1.4k 0

SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認可，例如電動汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機驅(qū)動器、光伏、儲能、固態(tài)變...

2024-07-15 標簽：電動汽車 MOSFET 碳化硅 1.4k 0

碳化硅二極管的特點

碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

2023-02-09 標簽：二極管散熱器碳化硅 1.4k 0

使用碳化硅設(shè)計用于高效可再生能源系統(tǒng)

碳化硅解決方案滿足了依賴半導體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求，因為它們可以提高功率密度、降低開關(guān)損耗和開關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽能功...

2023-05-24 標簽：太陽能半導體碳化硅 1.4k 0

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點，這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移...

2023-04-17 標簽：二極管 PFC電路碳化硅 1.4k 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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