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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

文章:3004 瀏覽:52705 帖子:39

碳化硅技術(shù)

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

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MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 1.3k 0

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

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摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...

2025-08-08 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟 1.3k 0

意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓,將用于功率器件原型設(shè)計

碳化硅(SiC)晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中,這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。

2022-12-15 標(biāo)簽:電動汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說,貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...

2024-09-20 標(biāo)簽:電流貼片壓敏電阻電壓 1.3k 0

利用C2000實(shí)時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實(shí)用性

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與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽:mcu數(shù)字電源GaN 1.3k 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢

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微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法(PVT)生長SiC單晶時,微管極易形成,并且...

2025-04-24 標(biāo)簽:晶體SiC碳化硅 1.3k 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

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圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅 1.2k 0

SiC MOSFET的重要注意事項

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綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.2k 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

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森國科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括:電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)(OBC)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車載?DC/...

2023-07-03 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率器件 1.2k 0

安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

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在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET—...

2025-12-05 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻碳化硅 1.2k 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

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碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料,SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢,是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無...

2023-06-25 標(biāo)簽:激光器發(fā)光二極管SiC 1.2k 0

碳化硅技術(shù)評估平臺

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英飛凌設(shè)計的平臺,旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標(biāo)簽:電源MOSFET半導(dǎo)體 1.2k 0

森國科推出最小封裝碳化硅二極管 具備高浪涌電流和雪崩能力

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TO-220-2L封裝散熱效果最佳,但是相對來說占用空間; TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力,體積上也有一定的優(yōu)勢,在應(yīng)用場景上的利用率較高。

2023-07-13 標(biāo)簽:二極管pcb電解電容 1.2k 0

富昌電子系統(tǒng)設(shè)計中心SiC版逆變器方案

該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺,融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...

2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 1.2k 0

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?

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為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件,開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電阻器電源電路 1.2k 0

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、...

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碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件,由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域,包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...

2023-08-08 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體功率器件 1.2k 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

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碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.2k 0

借助SpeedFit設(shè)計仿真軟件 縮短比較分析的時間

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相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC 1.2k 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標(biāo)簽:GaN碳化硅5G 1.2k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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  • TI公司
    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    華星光電
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    32位單片機(jī)
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    Cortex-A
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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    Mobileye
    +關(guān)注
    Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識別 (TSR)、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
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    CC2541
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    CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
  • STM32F4
    STM32F4
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    超級本
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