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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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盡管 5G 提升了帶寬,但其更高的頻率更容易造成信號衰減。由于更高的帶寬會導致更低的信噪比(SNR),增加帶寬并不會導致容量的線性增加。解決這一問題的一...
相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
作為半導體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
近年來,半導體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
全新沉積技術SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設計
使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
近幾年,碳化硅作為一種無機材料,其熱度可與“半導體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導體材料外,因其獨有的特性和優(yōu)勢受到其...
續(xù)航以及補能問題一直是困擾電動汽車發(fā)展的因素,當前主流電動汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動...
對于多數(shù)電動汽車用戶來說,在家或是在公司進行目的地充電應該是更常用,也是更理想的方式,這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機 OBC(On-b...
評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設備是否是實際電源轉換應用的實...
對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術的應...
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