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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

C2000?實(shí)時(shí)微控制器（MCU）應(yīng)對(duì)GaN 開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2021-05-17 標(biāo)簽：mcu 氮化鎵碳化硅 4k 0

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機(jī)，泵，HVAC壓縮機(jī)，制動(dòng)...

2021-05-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管 IGBT 2.9k 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過(guò)，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 5.8k 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行，數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開(kāi)始以更快的速度增長(zhǎng)。它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅 SiC MOSFET 3.7k 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶...

2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1.1萬(wàn) 0

碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻晶體管 4.7k 0

如何有效地檢測(cè)Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非常快速的恢復(fù)時(shí)間，這可提高開(kāi)關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無(wú)源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.4k 0

一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案解析

電池供電的便攜設(shè)備越來(lái)越多，在今日生活中扮演的角色也越來(lái)越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)存技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級(jí)電容器。這些...

2020-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池超級(jí)電容器電感器 6k 0

功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置測(cè)量方案

用于功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置中的硬切換是用于有效功率轉(zhuǎn)換的常用技術(shù)，特別是在較高功率水平下。隨著碳化硅（SiC）技術(shù)使開(kāi)關(guān)速度提高，電源兩端短路導(dǎo)致...

2020-12-13 標(biāo)簽：變壓器示波器觸發(fā)器 2.9k 0

碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代，目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對(duì)抗全球氣候...

2020-10-02 標(biāo)簽：硅材料碳化硅 1.1萬(wàn) 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。

2020-10-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 5.2k 0

碳化硅材料的特點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。

2020-10-02 標(biāo)簽：硅材料碳化硅 1.5萬(wàn) 0

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..

2020-09-07 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅氮化鎵晶體管 2.2萬(wàn) 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng)，主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管碳化硅 2.4k 0

碳化硅為何備受廠商青睞？安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)

01?年輕就要“燃”起來(lái) 輕薄便攜就是它

2020-09-11 標(biāo)簽：逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車智能功率模塊

該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，額定的最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長(zhǎng)時(shí)間工作的增強(qiáng)...

2020-06-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3.4k 0

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測(cè)試，從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ)，例如600 V匯流排直流電壓，開(kāi)啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。

2020-06-04 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅工業(yè)驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標(biāo)簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 2.2k 0

基本半導(dǎo)體榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊（BMB200120P1）榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。

2019-10-30 標(biāo)簽：中國(guó)芯電機(jī)控制器碳化硅 1.9k 0

常見(jiàn)的碳化硅半導(dǎo)體器件

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。

2019-10-24 標(biāo)簽：碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 4.6k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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