【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測量數(shù)據(jù)的準確性，對半導體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實際測量過程中，數(shù)據(jù)異常情況時有發(fā)生，不...

2025-09-29 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 906 0

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

2025-09-22 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 2k 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 隨著半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導體材料，其應用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標簽：晶圓SiC碳化硅 846 0

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估 傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

2025-09-21 標簽：半導體碳化硅SiC模塊 2.1k 0

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚...

2025-09-18 標簽：碳化硅外延片功率半導體器件 1.1k 0

PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案

本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展，系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設計人員的...

2025-09-17 標簽：MOSFET碳化硅太陽能系統(tǒng) 1.1k 0

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

面對電力電子應用與日俱增的需求，高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢。工程師們常常面臨多方面...

2025-09-17 標簽：功率器件SiC碳化硅 914 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應及其修正算法

一、引言 碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學性能，成為功率半導體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標，其精確測量對器...

2025-09-16 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 2.2k 0

基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上...

2025-09-15 標簽：MOSFET碳化硅半橋模塊 1.5k 0

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究

一、引言 化學機械拋光（CMP）工藝是實現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡...

2025-09-11 標簽：CMP碳化硅拋光 948 0

探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評測

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料，在功率器件、射頻器件等領域應用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標，準確測量 TTV...

2025-09-10 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.4k 0

芯干線SiC功率模塊的應用優(yōu)勢

碳化硅（SiC）的禁帶寬度約為3.3eV，顯著大于硅（Si）的1.1eV。禁帶寬度大的材料，需更多能量才能將電子從價帶激發(fā)至導帶，這使得 SiC 能在更...

2025-09-05 標簽：SiC功率模塊碳化硅 965 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標簽：晶圓器件碳化硅 1.1k 0

數(shù)明半導體SiLM27531H柵極驅(qū)動器在碳化硅器件中的應用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢，在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開關(guān)性能。盡管碳化硅...

2025-09-03 標簽：柵極驅(qū)動器碳化硅數(shù)明半導體 4.9k 0

從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與...

2025-09-03 標簽：晶圓襯底碳化硅 2.4k 0

新能源汽車高壓架構(gòu)詳解

應讀者建議，講一下高壓電氣架構(gòu)，花了一點時間做了一些圖，便于直觀理解，分析一下高壓架構(gòu)的發(fā)展歷程和趨勢。

2025-09-02 標簽：新能源汽車高壓碳化硅 3.4k 0

【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設備的性能與適用場景

摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設備，深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標，并結(jié)合半導體生產(chǎn)車間、科研實驗室、現(xiàn)場檢測等場景，探討...

2025-08-29 標簽：晶圓測量設備碳化硅 1.3k 0

碳化硅在電機驅(qū)動中的應用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。

2025-08-29 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 7.4k 0

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話：“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么，為什么一塊小小的半導體器件，能讓電動車跑得更遠，光伏逆變器更高效，甚至讓充電...

2025-08-29 標簽：SiC碳化硅SiC MOSFET 1k 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...

2025-08-28 標簽：測量碳化硅 837 0