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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3003個 瀏覽：52705次 帖子：39個

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

      相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

      2018-07-06 標簽：肖特基二極管碳化硅 5.4k 0

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

      SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。

      2024-04-01 標簽：功率器件SiC碳化硅 5.4k 0

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

      2023-09-11 標簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 5.4k 0

      連續(xù)纖維增強陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進展

      連續(xù)纖維增強陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進展

      連續(xù)纖維增強陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機構(gòu)已具備了...

      2023-05-18 標簽：纖維SiC復(fù)合材料 5.4k 0

      碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

      碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

      碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。

      2023-06-28 標簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 5.3k 0

      碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

      以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...

      2024-08-08 標簽：晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 5.3k 0

      采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

      采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

      眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長，應(yīng)用場景日益多樣，這也給電源設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料，如碳化硅 (SiC) 和氮化...

      2025-12-22 標簽：封裝技術(shù)功率器件碳化硅 5.3k 0

      什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

      SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。

      2024-04-18 標簽：SiC熱處理碳化硅 5.3k 0

      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

      碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點， 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

      2024-04-01 標簽：MOSFET變換器電源供電 5.2k 0

      碳化硅的性能和應(yīng)用場景

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

      2023-08-19 標簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 5.2k 0

      碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

      在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標。

      2020-10-02 標簽：功率器件碳化硅 5.2k 0

      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

      2023-12-27 標簽：電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 5.2k 0

      碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

      碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

      2024-01-17 標簽：半導(dǎo)體晶體管SiC 5.2k 0

      寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

      寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

      對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

      2023-06-12 標簽：充電器SiC氮化鎵 5.2k 0

      氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

      我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

      2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5.1k 0

      一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

      一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

      功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

      2021-05-10 標簽：變壓器功率器件Rohm 5.1k 0

      碳化硅的優(yōu)勢和難處

      碳化硅的優(yōu)勢和難處

      　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。

      2023-12-11 標簽：功率器件SiC碳化硅 5.1k 0

      碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

      碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點，廣泛...

      2023-06-04 標簽：肖特基二極管半導(dǎo)體器件碳化硅 5.1k 0

      碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

      以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

      2023-02-04 標簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5k 0

      IGBT工作時序及門極驅(qū)動計算方法

      IGBT工作時序及門極驅(qū)動計算方法

      本篇文章簡單介紹IGBT工作時序及門極驅(qū)動計算方法，引入大電流驅(qū)動IC以及門極保護TVS，同時羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動電壓，借此介紹非...

      2023-12-21 標簽：MOSFETTVSIGBT 4.9k 0

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        Arduino
        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
      • FinFET
        FinFET
        +關(guān)注
        FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
      • 20nm
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        +關(guān)注
      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
      • 羅姆
        羅姆
        +關(guān)注
        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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        +關(guān)注
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        美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS） 及零電壓開關(guān) （ZVS） 電源轉(zhuǎn)換拓撲。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
      • Kinetis
        Kinetis
        +關(guān)注
      • Cirrus LogIC
        Cirrus LogIC
        +關(guān)注
        Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計。
      • 柵極驅(qū)動器
        柵極驅(qū)動器
        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
      • 研華
        研華
        +關(guān)注
      • 華星光電
        華星光電
        +關(guān)注
        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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        +關(guān)注
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        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測 （HMW）、行人探測、智能前燈控制 （IHC）、交通標志識別 （TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        CC2541
        +關(guān)注
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      • STM32F4
        STM32F4
        +關(guān)注
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      • PFM
        PFM
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      • 超級本
        超級本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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