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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

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2023-12-19 標簽：電動汽車動力電池充電系統(tǒng) 6k 0

一款雙向降壓-升壓轉換器設計方案解析

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2018-03-09 標簽：半導體晶圓碳化硅 6k 0

碳化硅技術標準_碳化硅工藝

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2023-02-03 標簽：石英 SiC 碳化硅 6k 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

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2023-10-17 標簽：MOSFET 逆變器電機驅(qū)動 5.9k 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

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2023-02-12 標簽：SiC 碳化硅 5.9k 0

基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關系

電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應新技術的速度很...

2021-05-21 標簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 5.8k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結構性質(zhì)和應用領域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉換為β相，在熔點1800℃...

2023-03-08 標簽：碳化硅氧化鎵 5.8k 0

SiC碳化硅功率半導體時代的EMI建模實戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結果反推PCB布線缺陷

SiC碳化硅功率半導體時代的EMI建模實戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結果反推PCB布線缺陷寬禁帶半導體技術演進與電磁兼容（EMC）的深刻變革在全球能源結...

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碳化硅功率模塊封裝及熱管理關鍵技術解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關速度快和導通損耗低等優(yōu)點，因此正在逐漸成為電力變換系統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

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碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工...

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新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC（碳化硅）

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GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiC GaN 半導體器件 5.7k 0

氮化鎵和碳化硅哪個有優(yōu)勢

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導體材料領域的佼佼者，它們各自具有獨特的優(yōu)勢，應用領域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較：氮化鎵（GaN）...

2024-09-02 標簽：半導體材料氮化鎵碳化硅 5.6k 0

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2023-09-12 標簽：MOSFET 半導體 SiC 5.6k 0

碳化硅晶體的生長原理

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3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

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碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

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驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關速度、導通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 5.4k 0

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