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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅技術(shù)的硬核玩家,英飛凌用“芯”領(lǐng)航新能源時代
論壇以“Cool 芯領(lǐng)航 英華綻放”為主題,英飛凌科技高級總監(jiān)Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講,為整個大會拉開...
系統(tǒng)制造商對提高其設(shè)計的電源效率越來越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合對于市場領(lǐng)導(dǎo)地位變得至關(guān)重要。從半導(dǎo)體材料的角度來看,這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進...
“經(jīng)電學(xué)特性測試后,相應(yīng)數(shù)據(jù)與國際SiC龍頭企業(yè)美國科銳公司同類芯片產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)?!蓖蹩〗榻B,由于引入了場板分離型的分裂柵結(jié)構(gòu),芯片具有更低的反向...
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日,由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會在深圳隆重召開。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
納微半導(dǎo)體,作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司,氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實驗室正...
2024-01-30 標簽:功率半導(dǎo)體碳化硅納微半導(dǎo)體 1.7k 0
近日,重慶三安意法8英寸碳化硅(SiC)襯底廠正式投產(chǎn),標志著這一高科技項目比預(yù)期提前兩個月進入生產(chǎn)階段,為中國電動汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈注入了強勁動力。該項目...
森國科推出第五代Thinned MPS1200V碳化硅二級管
此外,經(jīng)過多輪測試與驗證,森國科1200V碳化硅二級管擁有強大的抗浪涌沖擊能力、抗雪崩能力,強健性和魯棒性。較高的熱性能降低了對冷卻系統(tǒng)的需求,同時由于...
瑞能半導(dǎo)體榮獲“中國SiC Fabless十強企業(yè)”稱號
近日,由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體與研究機構(gòu)“行家說三代半”主辦的「2024行家極光獎」頒獎典禮在深圳盛大舉行。經(jīng)過專家組委會和眾多行業(yè)人士的投票評選,瑞能半導(dǎo)...
2024-12-20 標簽:SiC碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.7k 0
Wolfspeed推出SpeedVal Kit? 平臺,采用模塊化方法簡化評估
Wolfspeed 推出的全新款 SpeedVal 套件是一個模塊化評估平臺概念,以方便設(shè)計人員采用 SiC 進行設(shè)計,提供優(yōu)異的通用性、可定制性和快速...
2023-01-13 標簽:模塊化功率半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0
在這個電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時代,半導(dǎo)體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...
森國科亮相2024全球新能源智能汽車電子技術(shù)創(chuàng)新大會
2024年7月18日,2024全球新能源智能汽車電子技術(shù)創(chuàng)新大會在深圳盛大舉辦。大會現(xiàn)場云集500+家半導(dǎo)體、新能源汽車企業(yè),超20位行業(yè)專家分享干貨,...
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳...
英飛凌62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎
11月14日,英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能,榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產(chǎn)品獎,...
功率模塊有好幾種類型,常見的比如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率模塊。IGBT適合于高電...
2024-03-07 標簽:半導(dǎo)體材料功率模塊碳化硅 1.7k 0
筑波網(wǎng)絡(luò)科技 泰瑞達Teradyne合作深圳卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開幕
筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達Teradyne合作,于12月15日舉辦深圳辦公室卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開幕茶會,將以Eagle Test System (...
數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計到2027年,汽車市場導(dǎo)電型碳化硅功率器件規(guī)模達49.86億美元,占比79.2%,能源、工業(yè)和交通應(yīng)用市場占比分別降至7.3%,8.7%和...
傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計深度研究報告
傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M010C075Z與B3M013C120Z的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計深度研究報告:顛覆性影響與技術(shù)路徑分析 傾佳...
Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,...
國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
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