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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...

2022-01-06 標(biāo)簽:碳化硅 1.7k 0

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢,使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...

2025-03-01 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 1.7k 0

安森美再一次明確了亞洲市場的重要性

吳桐表示,安森美未來的工作重點(diǎn)將放在電動(dòng)汽車和工業(yè)兩個(gè)領(lǐng)域。以電動(dòng)汽車為例,無論是主驅(qū)、充電、智能駕駛和車機(jī)娛樂系統(tǒng),或是域控制器等新概念,都需要基于相...

2022-08-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著全球推動(dòng)碳中和的步伐加快,可再生能源已成為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)型的基石。太陽能光伏發(fā)電(PV)、風(fēng)力渦輪機(jī)和先進(jìn)的儲(chǔ)能系統(tǒng)正以前所未有的規(guī)模得到部署。然而,最...

2025-08-20 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

陽臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用

陽臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用

陽光光儲(chǔ)與陽臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...

2025-12-20 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)?/a>碳化硅 1.7k 0

碳化硅三極管的阻值測試方法

碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點(diǎn),在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)...

2023-12-21 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體漏電流 1.7k 0

碳化硅公司上半年難過盈利大關(guān)

 在國內(nèi)市場上,隨著越來越多的新參與者加入,碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié),如襯底、外延片、器件制造和應(yīng)用等,都有廠商進(jìn)行布局。

2023-09-19 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢

國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢

國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢分析 FP35R12N2T7_...

2025-03-16 標(biāo)簽:SiCpim碳化硅 1.7k 0

基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在國家會(huì)展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會(huì)匯聚了超過3500家全球光...

2024-06-15 標(biāo)簽:MOSFET光伏功率器件 1.7k 0

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

日前,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(ST)與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正...

2025-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

2024-08-09 標(biāo)簽:封裝功率器件碳化硅 1.7k 0

安富利攜手安森美推動(dòng)風(fēng)光儲(chǔ)充一體化發(fā)展

隨著碳中和目標(biāo)持續(xù)推進(jìn),新能源發(fā)展已進(jìn)入全新的階段,風(fēng)能、光能作為新能源領(lǐng)域的先鋒力量,正在以快速的增長態(tài)勢推動(dòng)這場綠色能源革命。為破解新能源消納瓶頸,...

2024-12-04 標(biāo)簽:太陽能安富利能源 1.7k 0

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓,易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。

2021-06-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電 1.7k 0

碳化硅將引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新潮流?

隨著科技的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)也在不斷尋求新的材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。

2023-07-26 標(biāo)簽:新能源汽車智能電網(wǎng)半導(dǎo)體 1.7k 0

碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代

碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代

當(dāng)前從光伏到新能源汽車,碳化硅下游市場需求旺盛,特別是隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)增長,對(duì)SiC材料的需求呈現(xiàn)出井噴式增長的態(tài)勢。國產(chǎn)碳化硅正在從產(chǎn)業(yè)...

2023-06-27 標(biāo)簽:芯片新能源汽車碳化硅 1.7k 0

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp (Rdson * area)。

2021-02-19 標(biāo)簽:MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體 1.7k 0

使用碳化硅MOSFET實(shí)現(xiàn)快速直流充電器

使用碳化硅MOSFET實(shí)現(xiàn)快速直流充電器

世界各國政府都在推動(dòng)私家車和商用車車主轉(zhuǎn)向更環(huán)保的替代品,例如電動(dòng)汽車 (EV)。但是,進(jìn)行此更改的最大障礙之一是車輛續(xù)航里程問題。大多數(shù)中低檔 EV ...

2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1.7k 0

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

今天我們來講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61,這款SiCModule可以適用更高的開關(guān)頻率,可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗,大大的提高...

2024-05-27 標(biāo)簽:SiCModule碳化硅 1.7k 0

吉利汽車與ST簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡稱ST)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供...

2024-06-04 標(biāo)簽:電子電器碳化硅吉利汽車 1.7k 0

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  • 28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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  • 華星光電
    華星光電
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    深圳市華星光電技術(shù)有限公司(以下簡稱華星光電)是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè),公司注冊(cè)資本183.4億元,投資總額達(dá)443億元,是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目,也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    超級(jí)本
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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