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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

意法半導(dǎo)體與吉利汽車深化碳化硅器件合作

近日,汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅(SiC)器件的長(zhǎng)期供應(yīng)...

2024-06-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅吉利汽車 1.5k 0

KILOVAC固態(tài)功率控制器應(yīng)用最先進(jìn)技術(shù)首發(fā)登陸

KILOVAC固態(tài)功率控制器應(yīng)用最先進(jìn)技術(shù)首發(fā)登陸

隨著人類生產(chǎn)生活科技化與信息化程度越來越高,電子信息技術(shù)在近幾十年呈現(xiàn)迅猛發(fā)展的態(tài)勢(shì),其背后的基石正是先進(jìn)半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展。目前,以碳化硅為典型代表...

2023-06-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體材料碳化硅 1.5k 0

瞻芯電子出席德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2024展會(huì)

瞻芯電子出席德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2024展會(huì)

瞻芯電子將于6月11日-13日,參加德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2024展會(huì)。

2024-05-23 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

芯聯(lián)集成為蔚來樂道L60供應(yīng)碳化硅模塊

近日,蔚來旗下全新品牌樂道推出了其首款車型——樂道L60。作為同級(jí)別車型中的佼佼者,樂道L60采用了全域900V高壓平臺(tái)架構(gòu),并搭載了蔚來自研的1200...

2024-12-02 標(biāo)簽:碳化硅蔚來芯聯(lián)集成 1.5k 0

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.5k 0

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能...

2025-03-19 標(biāo)簽:MOSFET安森美功率模塊 1.5k 0

士蘭微:IGBT當(dāng)前產(chǎn)出1.5萬片/月,新能源產(chǎn)品月銷售額近1億元

2023年前的第三季度,士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入達(dá)到68.99億元,同比增長(zhǎng)10.49%。歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)虧損約1.89億元人民幣,比上年同期減少12...

2023-11-03 標(biāo)簽:IGBT士蘭微碳化硅 1.5k 0

蔚來樂道L60黑色款實(shí)車首次亮相,定于9月正式上市

近期,有網(wǎng)友曝光了樂道 L60 的黑色實(shí)車照片,展現(xiàn)出其圓潤(rùn)的尾部造型及修長(zhǎng)的尾燈設(shè)計(jì)。相較于熱情的橙色,黑色涂裝的樂道 L60 顯得更為冷峻。

2024-05-23 標(biāo)簽:碳化硅蔚來汽車電驅(qū)系統(tǒng) 1.5k 0

碳化硅器件的類型及應(yīng)用

碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時(shí)保持穩(wěn)定性和效率。

2024-04-16 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1.5k 0

傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用

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2025-11-21 標(biāo)簽:MOSFET輔助電源碳化硅 1.5k 0

NTC熱敏電阻與電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊

NTC熱敏電阻與電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊

電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊,隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)份額的不斷擴(kuò)大成為了新能源領(lǐng)域冉冉升起的新星,吸引了越來越多技術(shù)供應(yīng)商以及汽車企業(yè)的布局與重視。在SiC碳化...

2026-02-11 標(biāo)簽:熱敏電阻NTC功率模塊 1.5k 0

Renesas與Wolfspeed簽訂10年晶圓供應(yīng)協(xié)議

這份為期十年的供應(yīng)協(xié)議要求Wolfspeed在2025年為Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圓,這強(qiáng)化了兩家公司對(duì)于從硅向硅碳化物半導(dǎo)體功率...

2023-07-07 標(biāo)簽:晶圓Renesas碳化硅 1.5k 0

東海炭素斥資約2.6億,加速SiC晶圓材料商業(yè)化進(jìn)程

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來新一輪技術(shù)革新與市場(chǎng)需求激增的背景下,東海炭素株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東海炭素”)近期宣布了一項(xiàng)雄心勃勃的投資計(jì)劃,旨在通過建設(shè)多晶碳化...

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碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV...

2025-05-29 標(biāo)簽:汽車電子功率器件碳化硅 1.5k 0

士蘭微電子迎來雙線里程碑:8英寸碳化硅產(chǎn)線通線, 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工

士蘭微電子迎來雙線里程碑:8英寸碳化硅產(chǎn)線通線, 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工

2026年1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線...

2026-01-06 標(biāo)簽:士蘭微電子碳化硅模擬芯片 1.5k 0

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開...

2023-12-21 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1.5k 0

10.1.6 浮空?qǐng)霏h(huán)(FFR)終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.6 浮空?qǐng)霏h(huán)(FFR)終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.6浮空?qǐng)霏h(huán)(FFR)終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》...

2022-04-07 標(biāo)簽:碳化硅 1.5k 0

如何大幅提高Wolfspeed系統(tǒng)的整體可靠性

相對(duì)于傳統(tǒng)硅(Si)元器件,碳化硅(SiC)技術(shù)的性能得到全面提升,包括:更低的功率損耗、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更高的功率密度、更高的整體效率。

2022-08-01 標(biāo)簽:碳化硅SiC功率模塊Wolfspeed 1.5k 0

X-Fab與Soitec攜手推進(jìn)碳化硅功率器件生產(chǎn)

近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動(dòng)碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠...

2024-05-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(huì)(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會(huì),作為亞洲電子...

2024-03-04 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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