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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹

SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹

與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了電力電子設(shè)備的能效提升和尺寸縮小。

2024-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體Modules碳化硅 1.2k 0

碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌?聽(tīng)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說(shuō)

對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說(shuō)法,業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。

2024-02-23 標(biāo)簽:碳化硅三安光電 1.2k 0

集團(tuán)總部青銅劍科技大廈喜封金頂

? 風(fēng)雨兼程,匠心澆筑 產(chǎn)業(yè)巨著,榮耀封頂 2022年12月14日上午 隨著最后一方混凝土的合力澆筑 青銅劍科技大廈順利封頂! 標(biāo)志著項(xiàng)目建設(shè)取得階段性...

2022-12-14 標(biāo)簽:功率器件碳化硅青銅劍科技 1.2k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案 一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬:中國(guó)企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...

2025-03-06 標(biāo)簽:功率器件碳化硅飛跨電容 1.2k 0

高頻固態(tài)變壓器(SST)六端口磁集成技術(shù)與碳化硅(SiC)模塊應(yīng)用

高頻固態(tài)變壓器(SST)六端口磁集成技術(shù)與碳化硅(SiC)模塊應(yīng)用

在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、去中心化轉(zhuǎn)型的宏大背景下,現(xiàn)代配電網(wǎng)正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)單向潮流網(wǎng)絡(luò)向高度自治、多源互聯(lián)的交直流混合微電網(wǎng)集群的根本性演變。

2026-03-09 標(biāo)簽:變壓器碳化硅 1.2k 0

功率半導(dǎo)體巨頭拓展中國(guó)“朋友圈” 國(guó)產(chǎn)碳化硅商業(yè)化按下“加速鍵”

近期國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌拓展碳化硅材料供應(yīng)商體系,簽約國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底頭部產(chǎn)商天岳新進(jìn)、天科合達(dá)。在業(yè)內(nèi)人士看來(lái),其重要性被業(yè)內(nèi)認(rèn)為堪比消費(fèi)單子廠商納...

2023-05-16 標(biāo)簽:新能源功率半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

多維科技推出2MHz帶寬的TMR265x系列可編程TMR線性傳感器

多維科技推出2MHz帶寬的TMR265x系列可編程TMR線性傳感器

全新的TMR傳感器系列具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。

2023-05-11 標(biāo)簽:傳感器旋轉(zhuǎn)編碼器電流傳感器 1.2k 0

英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議

英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議

【2022年9月19日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團(tuán) (納斯達(dá)克代碼:IIVI)簽...

2022-09-20 標(biāo)簽:英飛凌晶圓碳化硅 1.2k 0

車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元

按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過(guò)70%...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1.2k 0

11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPG...

2022-04-14 標(biāo)簽:碳化硅 1.2k 0

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路與系統(tǒng)級(jí)協(xié)同控制策略研究 引言 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化...

2026-04-01 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 1.2k 0

傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用

傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用

傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2025-10-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.2k 0

安森美調(diào)整事業(yè)部結(jié)構(gòu)以擴(kuò)大產(chǎn)品組合并加速增長(zhǎng)

安森美(onsemi)(納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號(hào)事業(yè)部(AMG),并由新任命的事業(yè)部總裁SudhirGopalswamy領(lǐng)導(dǎo)。

2024-03-13 標(biāo)簽:傳感器安森美電源管理 1.2k 0

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過(guò)客戶驗(yàn)證

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過(guò)客戶驗(yàn)證

近日,晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過(guò)客戶驗(yàn)證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新,引...

2025-01-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.2k 0

基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semic...

2025-10-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 1.2k 0

200mm SiC 生產(chǎn)之路

200mm SiC 生產(chǎn)之路

降低半導(dǎo)體制造成本的一個(gè)關(guān)鍵方法是采用更大直徑的晶圓。Si CMOS 制造在 90 年代經(jīng)歷了 150 毫米到 200 毫米的轉(zhuǎn)變,隨后在十年左右的時(shí)間...

2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工業(yè) 1.2k 0

理想汽車碳化硅電驅(qū)工廠早已接入DeepSeek

在新能源汽車行業(yè),800V高壓平臺(tái)正在成為下一代純電技術(shù)的核心戰(zhàn)場(chǎng)。而決定這場(chǎng)戰(zhàn)役勝負(fù)的關(guān)鍵之一,藏在約一粒綠豆大小的碳化硅(SiC)芯片里。

2025-02-24 標(biāo)簽:碳化硅理想汽車DeepSeek 1.2k 0

新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝,可實(shí)現(xiàn)高效緊湊設(shè)計(jì),具有增強(qiáng)的魯棒性和...

2025-08-07 標(biāo)簽:英飛凌二極管碳化硅 1.1k 0

我國(guó)第三代半導(dǎo)體首次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。

2014-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

安森美新型SiC模塊評(píng)估板概述

碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來(lái)前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...

2025-02-25 標(biāo)簽:安森美SiC評(píng)估板 1.1k 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
  • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
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    Vicor
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    美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌,致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新,近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) (ZCS) 及零電壓開關(guān) (ZVS) 電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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  • 美滿電子
    美滿電子
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      賽靈思公司(Xilinx)推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
  • Kinetis
    Kinetis
    +關(guān)注
  • Cirrus LogIC
    Cirrus LogIC
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    Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷,是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器
    柵極驅(qū)動(dòng)器
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      柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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  • 華星光電
    華星光電
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    深圳市華星光電技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱華星光電)是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè),公司注冊(cè)資本183.4億元,投資總額達(dá)443億元,是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目,也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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    Cortex-A
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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    STM32F4
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    STM32F4是由ST(意法半導(dǎo)體)開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART(自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。
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    PFM
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    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào),通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號(hào),通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
  • 超級(jí)本
    超級(jí)本
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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