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標簽 > GaN
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圖1顯示了一個12 V降壓型轉換器，它基于LTC7891同步控制器，用于驅動100 V GaN FET。以500 kHz頻率運行時，在20 A負載和48...
PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達800VDC架構
Power Integrations公司的PowiGaN技術實現(xiàn)了1250V和1700V GaN開關器件，使設計人員能夠構建高密度、高效率的電源。
700V/1.6A單通道增強型GaN FET驅動控制器參數(shù)與使用極限
概述： PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET），集成了單通道低端驅動器，專為高速應用中的氮化鎵高電子遷移...
PI GaN產(chǎn)品InnoSwitch3-EP助力簡化工業(yè)輔助電源設計
隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降，GaN正從消費電子PD快充領域向更廣闊的工業(yè)、汽車、通信、數(shù)據(jù)中心等領域滲透，憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優(yōu)勢...
650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉換器評估板
云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費電子快充等領域實現(xiàn)規(guī)模化應...
在文章"提升開關頻率（一） 芯導科技MOSFET工藝結構的發(fā)展與演進"中，我們介紹了芯導科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。
橢偏儀在半導體的應用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結構與光學性質(zhì)
Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發(fā)光器件的關鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...
氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應用選型避坑手冊
在消費電子快充領域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業(yè)設備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...
2025-12-24 標簽：驅動ICGaNSiC MOSFET 1.4k 0
太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創(chuàng)新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...
2025-12-11 標簽：GaN光伏逆變器太陽能系統(tǒng) 4.7k 0
近日，備受行業(yè)矚目的2026九峰山論壇在武漢隆重開幕。本屆論壇以“新賽道、新技術、新產(chǎn)品、新市場”為主題，匯聚了國內(nèi)外院士專家、行業(yè)領袖與產(chǎn)業(yè)鏈代表，共...
光谷芯材與昌龍智芯聯(lián)合發(fā)布化合物半導體新品，填補國內(nèi)高壓功率器件空白
近日，在2026年九峰山論壇期間，光谷芯材聯(lián)合（武漢）科技有限公司與北京昌龍智芯半導體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導體新品——RF及Power GaN外...
深度解析CXAC85308：一顆內(nèi)置GaN、無需輔助繞組的33W快充反激芯片如何重塑設計流程
推出的 CXAC85308 正是為解決這些痛點而設計的。它將700V GaN功率管、高壓自供電電路及VCC電容全部集成在內(nèi)部，直接從高壓直流母線取電，徹...
讓快充更高效：集成GaN的APFC反激控制器如何提升功率密度與能效
隨著USB?PD快充和可編程電源適配器的普及，消費者對充電器的要求越來越高：不僅要有65W、100W甚至更高功率，還要體積小巧、發(fā)熱低、兼容全球電網(wǎng)。傳...
意法半導體GaN驅動洗衣機實現(xiàn)更高效率與可持續(xù)性
在實現(xiàn)家用電器可持續(xù)性的進程中，制造商首要關注的重點，是如何集成先進電力技術、智能控制算法，以及高效電機控制和器件。
從消費電子到AI電網(wǎng)：兩家巨頭財報，GaN 賽道徹底分化
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近英諾賽科和納微都公布了2025年全年財報，作為GaN領域最具代表性的兩家上市公司（transphorm被瑞薩收購后已退市），過...
GaN應用場景持續(xù)拓展，車規(guī)產(chǎn)品加速上車
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）隨著中高壓電力電子系統(tǒng)在近五年的快速發(fā)展，對功率密度、轉換效率的要求不斷提高，SiC在汽車、工業(yè)等各種中高壓場景已經(jīng)實現(xiàn)對...
基于SiC MOSFET高頻LLC變換器的平面變壓器繞組交錯與寄生參數(shù)精細化優(yōu)化
在當今以數(shù)據(jù)中心、電動汽車車載充電器（On-Board Charger, OBC）、可再生能源逆變器以及航空航天電氣化為代表的尖端電力電子領域中，系統(tǒng)對...
韓系大廠功率GaN代工進入量產(chǎn)階段，F(xiàn)abless要崛起？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日業(yè)界傳出三星電子功率GaN晶圓代工產(chǎn)線即將投產(chǎn)，其8英寸GaN產(chǎn)線已進入量產(chǎn)前準備階段，預計最早將在今年第二季度實現(xiàn)全...
瑞薩電子推出首款650V雙向GaN開關，標志著功率轉換設計規(guī)范的重大變革
首款具備直流阻斷功能的雙向GaN技術，可大幅減少功率轉換拓撲結構所需的開關數(shù)量 兼容標準柵極驅動器 支持軟切換與硬切換模式，實現(xiàn)快速、干凈的過渡 全球半...
| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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