SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3E 2.3k 0

美光科技或需賠償Netlist內(nèi)存子系統(tǒng)專利三倍

5月23日，美國得克薩斯州東區(qū)地方法院裁判小組判定美光生產(chǎn)的DRAM芯片侵犯了Netlist關(guān)于優(yōu)化檔案調(diào)用性能的兩項(xiàng)專利，并認(rèn)定美光有意侵權(quán)。

2024-05-27 標(biāo)簽：芯片DRAM美光科技 929 0

三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展...

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM硅晶圓三星 1.8k 0

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w...

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAMSK海力士三星 1.3k 0

三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計(jì)劃限制DRAM產(chǎn)量

　根據(jù)行業(yè)預(yù)估，三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境。然而，他們?cè)诮衲暌患径蓉?cái)政報(bào)告會(huì)上均表示，DRAM產(chǎn)量可能會(huì)受到制約。

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAMSK海力士三星 1.1k 0

三星電子和SK海力士對(duì)通用存儲(chǔ)芯片增產(chǎn)持謹(jǐn)慎態(tài)度

據(jù)悉，四月份8GB DDR4 DRAM的合同價(jià)格較上月增長(zhǎng)了17%，但128GB（16G x 8）MLC通用閃存在便攜式存儲(chǔ)設(shè)備如閃存盤中的價(jià)格維持不變。

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAMDDR4存儲(chǔ)設(shè)備 1.1k 0

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤高，故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM晶圓HBM 1.6k 0

三星電子與SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）價(jià)格將持續(xù)攀升，受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。

2024-05-15 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器人工智能 1.2k 0

SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應(yīng)充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對(duì)晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM晶圓SK海力士 1.2k 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級(jí)）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道，三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.8k 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.2k 0

華邦傾力挺進(jìn)DDR3市場(chǎng)，抓住轉(zhuǎn)單商機(jī)

華邦自DDR2時(shí)期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域，而隨著制程升級(jí)至DDR3階段，該公司開始加大對(duì)DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠今年引...

2024-05-13 標(biāo)簽：DRAM物聯(lián)網(wǎng)DDR2 1.4k 0

全球芯片供應(yīng)鏈重構(gòu)，美韓DRAM產(chǎn)能將擴(kuò)增

盡管韓國在邏輯芯片市場(chǎng)的地位有所下滑，但得益于AI芯片需求的激增，DRAM市場(chǎng)如高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等產(chǎn)品需求旺盛，韓國DRAM產(chǎn)能將從2022年的5...

2024-05-13 標(biāo)簽：DRAM邏輯芯片AI芯片 1.4k 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì)，旨在縮短開發(fā)周期，提升競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM三星電子HBM 2.2k 0

兆易創(chuàng)新：預(yù)計(jì)2024年DRAM業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)

兆易創(chuàng)新近日在業(yè)績(jī)說明會(huì)上展望了公司未來的發(fā)展藍(lán)圖。公司高管表示，面對(duì)2024年?duì)I收目標(biāo)73億元的挑戰(zhàn)，兆易創(chuàng)新將保持戰(zhàn)略定力，致力于擴(kuò)大市場(chǎng)占有率和提...

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM兆易創(chuàng)新 1.5k 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.5k 0

產(chǎn)能之外，HBM先進(jìn)封裝的競(jìng)爭(zhēng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為存儲(chǔ)行業(yè)當(dāng)下的新寵，HBM在AI的推動(dòng)下，已經(jīng)陷入了前所未有的市場(chǎng)狂熱。最大的噱頭自然是產(chǎn)能之爭(zhēng)，比如SK海力士表示明...

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAMHBM先進(jìn)封裝 4.1k 0

三星電子提前組建DRAM技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)

全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光，計(jì)劃在今年三季度到明年逐步實(shí)現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而，1dnm工藝則排在1cnm之后，預(yù)計(jì)量...

2024-05-09 標(biāo)簽：DRAM三星電子SK海力士 1.1k 0