英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，將用于14A制程

半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無(wú)疑...

2024-04-19 標(biāo)簽：英特爾EUV半導(dǎo)體設(shè)備 1.4k 0

紫光展銳ic設(shè)計(jì)給力 6納米工藝的5G芯片的手機(jī)明年將上市

紫光展銳ic設(shè)計(jì)很給力；紫光展銳積極布局5G，除了搭載其6納米5G芯片的手機(jī)將于明年量產(chǎn)，展銳還推出了一系列5G產(chǎn)品。 T7520很快會(huì)達(dá)到CS（商業(yè)樣...

2020-11-12 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)socEUV 1.4k 0

摩爾定律在14nm節(jié)點(diǎn)上迎來(lái)大挑戰(zhàn)

在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上，有專家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽：摩爾定律EUV 1.4k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)：EUV光刻最新進(jìn)展如何

現(xiàn)在16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

2016-08-02 標(biāo)簽：英特爾EUV 1.4k 0

Renesas與Wolfspeed的20億美元交易帶來(lái)的啟示

該行業(yè)甚至愿意更進(jìn)一步，通過(guò)合作和共同融資來(lái)開發(fā)下一代半導(dǎo)體制造設(shè)備，就像最近ASML和Imec之間的協(xié)議一樣。他們說(shuō)，將在開發(fā)下一代EUV設(shè)備上合作。...

2023-07-18 標(biāo)簽：Renesas半導(dǎo)體制造EUV 1.3k 0

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)

盡管英特爾在距今4年前便已開始計(jì)劃10nm節(jié)點(diǎn)，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計(jì)規(guī)則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽：英特爾10nmEUV 1.3k 0

韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅將參觀ASML無(wú)塵室，成為首個(gè)到訪外國(guó)元首

尹錫悅代表方面表示：“asml允許韓國(guó)總統(tǒng)訪問(wèn)無(wú)塵室，作為外國(guó)首腦，他將首次訪問(wèn)無(wú)塵室。”他表示：“韓國(guó)政府希望將荷蘭的尖端設(shè)備和韓國(guó)的尖端制造能力相融...

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUVASML 1.3k 0

臺(tái)積電在2nm制程技術(shù)上展開防守策略

臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來(lái)，臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓代工芯片制造EUV 1.3k 0

2021年因關(guān)鍵元件備貨不足，EUV設(shè)備供應(yīng)產(chǎn)能受限

全球光刻機(jī)大廠ASML（艾司摩爾）在日前的2020 年第4 季與全年財(cái)務(wù)電話會(huì)議上透露，2020年全年ASML營(yíng)收達(dá)到140億歐元，其中有45 億歐元的...

2021-02-02 標(biāo)簽：三星電子EUVASML 1.3k 0

臺(tái)積電搶跑7nm制程 EUV準(zhǔn)備好了嗎？

先進(jìn)制程顯然對(duì)吸引高利潤(rùn)率業(yè)務(wù)極為關(guān)鍵，各家企業(yè)早在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上展開時(shí)間競(jìng)賽。如今，先進(jìn)制程的戰(zhàn)役已在10納米開鑼，繼臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科共同推出10納米產(chǎn)品H...

2017-01-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUV7nm制程 1.3k 0

ASML怎么看中國(guó)集成電路行業(yè)發(fā)展

荷蘭ASML中國(guó)總裁全力支持向中國(guó)出口光刻機(jī) 11月5日，在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁沈波在接...

2020-11-06 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)EUV 1.3k 0

數(shù)十年的光刻技術(shù)，High-NA EUV或成為終點(diǎn)？

盡管EUV的生產(chǎn)力還沒(méi)有達(dá)到客戶的預(yù)期，但幾年來(lái)，EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過(guò)程中不可或缺的一部分。

2022-09-28 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 1.3k 0

三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)

在這場(chǎng)最先進(jìn)工藝產(chǎn)能的競(jìng)爭(zhēng)中，隨著三星和Intel的加入，無(wú)論是哪一家獲得蘋果或高通的芯片訂單，沒(méi)有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會(huì)爭(zhēng)取大陸的芯片...

2016-09-02 標(biāo)簽：三星電子10nmEUV 1.3k 0

日本與荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄

euv極紫外光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，用于7納米以下工程的半導(dǎo)體制造。荷蘭對(duì)這種尖端設(shè)備實(shí)施出口控制，限制對(duì)中國(guó)的出口。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道...

2023-06-26 標(biāo)簽：光刻機(jī)半導(dǎo)體制造EUV 1.3k 0