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淺顯理解傳統(tǒng)GAN，分享學(xué)習(xí)心得
由這個(gè)分析可以發(fā)現(xiàn)，生成網(wǎng)絡(luò)與判別網(wǎng)絡(luò)的目的正好是相反的，一個(gè)說我能判別的好，一個(gè)說我讓你判別不好。所以叫做對(duì)抗，叫做博弈。那么最后的結(jié)果到底是誰贏呢？...
2018-05-07 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 4.9k 0
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
Qorvo會(huì)議就GaN技術(shù)進(jìn)行討論
GaN已經(jīng)迅速發(fā)展成為促成一系列當(dāng)前和未來系統(tǒng)的一種技術(shù)，但這也對(duì)pre-5G和5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來了較大影響。Qorvo的Gary Burgin將要討論G...
GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計(jì)方案詳解
氮化鎵（GaN）開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可在高開關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸...
2021-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)AC-DC 4.9k 0
PI的PowiGaN技術(shù)的使用優(yōu)勢及應(yīng)用
Power Integrations（PI）于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)...
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化...
氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...
GaN功率開關(guān)、組件及對(duì)EMI產(chǎn)生造成怎樣的影響
為了評(píng)估這些GaN組件，Sandler安排我來測試一些評(píng)估板。一塊我選擇測試的是Efficient Power Conversion的半橋（Half-...
2018-10-07 標(biāo)簽：emi功率開關(guān)gan 4.9k 0
使用基于GaN的OBC應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)
本期，為大家?guī)淼氖恰妒褂没?GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求，同...
2025-05-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車濾波器emi 4.9k 0
通過EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用EPC的Ga...
信息安全專家們一直在探索“生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)”（GAN）如何提高我們的在線安全性，并取得了令人鼓舞的結(jié)果。近日，新澤西州史蒂文斯理工學(xué)院和紐約理工學(xué)院的研究...
2018-07-01 標(biāo)簽：gan 4.8k 0
在訓(xùn)練點(diǎn)和生成的樣本之間的線性插值上評(píng)估梯度，作為最佳耦合的代理(proxy)。 還可以在數(shù)據(jù)流形周圍評(píng)估梯度損失，這促使鑒別器在該區(qū)域中成分段線性。梯...
2018-07-16 標(biāo)簽：發(fā)生器GAN數(shù)據(jù)集 4.8k 0
基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管，新一代SiC和Ga...
2020-01-25 標(biāo)簽：功率放大器PCB設(shè)計(jì)GaN 4.8k 0
基于上述圖騰柱TCM的工作過程分析，可以總結(jié)出TCM控制的圖騰柱拓?fù)渌哂械膸c(diǎn)優(yōu)勢。
總而言之，GAN由最開始的隨機(jī)噪聲生成圖片，逐漸在眾多領(lǐng)域得到發(fā)展。有研究者使用GAN研究半監(jiān)督學(xué)習(xí)問題，也有研究者進(jìn)行圖像到圖像的生成探索，如給定輪廓...
GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時(shí)也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽：GaN功率半導(dǎo)體HEMT 4.7k 0
太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...
2025-12-11 標(biāo)簽：GaN光伏逆變器太陽能系統(tǒng) 4.7k 0
還記得英偉達(dá)去年推出的StyleGAN嗎？全新的生成器架構(gòu)讓這個(gè)“新一代GAN”生成的人臉真實(shí)到可怕?，F(xiàn)在，StyleGAN已經(jīng)開源，包括源代碼和官方T...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...
相對(duì)于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...
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