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gan技術(shù)

LMG5200開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)

當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

2018-04-26 標(biāo)簽:示波器GaNLMG5200 6.1k 0

如何采用氮化鎵或GaN實(shí)現(xiàn)車(chē)輛電氣化

作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車(chē)行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器GaN 6.1k 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。

2019-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 6.1k 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

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SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 6.1k 0

是十款各具特色的GANs,深入了解其數(shù)學(xué)原理

InfoGAN是生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)信息理論的擴(kuò)展,能夠以完全非監(jiān)督的方式得到可分解的特征表示。它可以最大化隱含(latent)變量子集與觀測(cè)值之間的互信息(m...

2018-07-20 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 6k 0

GANs領(lǐng)域值得深入研究的七個(gè)問(wèn)題,讓我們得以窺視GANs未來(lái)的發(fā)展走向

如果樣本中的元素被模型設(shè)置了0概率,那么懲罰將會(huì)變成無(wú)窮大!而GANs則通過(guò)間接的方式設(shè)置0概率,懲罰將會(huì)緩和的多。另一個(gè)方法來(lái)自于歸一化流(norma...

2019-04-22 標(biāo)簽:GaN模型數(shù)據(jù)集 6k 0

氮化鎵屬于無(wú)機(jī)非金屬材料嗎

  20世紀(jì)40年代后,傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無(wú)機(jī)非金屬材料,與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無(wú)機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN 6k 0

LED屏的七大分類(lèi)方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...

2023-04-11 標(biāo)簽:led氮化鎵GaN 6k 0

能不能用GAN破解標(biāo)注數(shù)據(jù)不足的問(wèn)題呢

在計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域,深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個(gè)方向獲得突破,這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù),比如最著明的ImageNet數(shù)...

2019-07-14 標(biāo)簽:GAN計(jì)算機(jī)視覺(jué)大數(shù)據(jù) 6k 0

控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過(guò)部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級(jí)控制拓?fù)鋪?lái)解決面臨的挑戰(zhàn)。

2018-06-05 標(biāo)簽:adi通信技術(shù)控制 5.9k 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

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超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 5.9k 0

可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的解決方案介紹

生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN很強(qiáng)大,但也有很多造成GAN難以使用的缺陷。本文介紹了可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的一些解決方案,有助于提高GAN性能。

2019-02-13 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 5.9k 0

LED芯片主要的三種流派結(jié)構(gòu)介紹

LED是一種半導(dǎo)體,通電即會(huì)發(fā)光。憑借其高效率、長(zhǎng)壽命和其他突出的特點(diǎn),成為L(zhǎng)CD液晶顯示模組的核心材料,為L(zhǎng)CD的背光模組提供足夠的光源;

2023-02-01 標(biāo)簽:LED芯片LED封裝GaN 5.9k 0

一文知道RF GaN市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵

據(jù)麥姆斯咨詢介紹,近年來(lái),由于氮化鎵(GaN)在射頻(RF)功率應(yīng)用中的附加價(jià)值(例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積),RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚...

2019-05-10 標(biāo)簽:RFGaN 5.9k 0

谷歌開(kāi)源TFGAN輕量級(jí)的工具庫(kù) 目的是讓訓(xùn)練和評(píng)估GAN變得更加簡(jiǎn)單

三年前,蒙特利爾大學(xué) Ian Goodfellow 等學(xué)者提出「生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)」(Generative Adversarial Networks,GAN...

2018-01-02 標(biāo)簽:谷歌gantfgan 5.9k 0

聊聊英飛凌的汽車(chē)模塊HybridPACK

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新能源汽車(chē)的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...

2023-09-15 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體SiC 5.9k 0

現(xiàn)有GAN存在哪些關(guān)鍵屬性缺失?

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生物統(tǒng)計(jì)學(xué)家Alexia Jolicoeur-Martineau發(fā)表了一篇令人矚目的論文,她指出現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)GAN(SGAN)訓(xùn)練生成器時(shí),不僅應(yīng)該提高偽...

2018-07-07 標(biāo)簽:GAN 5.8k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

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在文章"提升開(kāi)關(guān)頻率(一) 芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中,我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對(duì)高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN芯導(dǎo)科技 5.7k 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

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基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 5.7k 0

硅基GaN為固態(tài)射頻能量應(yīng)用帶來(lái)更多可能

 等離子燈自發(fā)明以來(lái)便由磁控管供電,磁控管的平均壽命預(yù)計(jì)在500至1000小時(shí)。在評(píng)估等離子燈的價(jià)值時(shí),這是一個(gè)重要的考慮因素。對(duì)此,美國(guó)海軍天文臺(tái)提供...

2018-03-30 標(biāo)簽:射頻gan 5.7k 0

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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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