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氮化鎵 （GaN） 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)...
2016-05-09 標(biāo)簽：GaN集成驅(qū)動(dòng)器共源電路 3.5k 0
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...
一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)
駐留在數(shù)據(jù)中心的大量服務(wù)器(每臺(tái)服務(wù)器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存)需要越來(lái)越多的功率。更小、更輕、更...
2022-08-03 標(biāo)簽：PFCGaN諧振轉(zhuǎn)換器 3.5k 0
TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來(lái)提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開(kāi)關(guān)具有令人興奮且具有突破...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件...
在所有其他參數(shù)相同的情況下，對(duì)于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...
AI正在創(chuàng)造一個(gè)獨(dú)特的虛擬（虛假）信息世界
這一想法最初的來(lái)源其實(shí)是英偉達(dá)最近開(kāi)源的 StyleGAN 算法，已經(jīng)證明有不錯(cuò)的靈活性。Philip Wang 在其 Facebook 上介紹稱，人臉...
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而，它們?cè)诓牧?..
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更...
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...
本期，芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成，進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
LiDAR 代表 Light Detection and Ranging，即通過(guò)光帶中的電磁輻射進(jìn)行（遠(yuǎn)程）檢測(cè)和測(cè)量。該設(shè)備應(yīng)用了雷達(dá)的經(jīng)典而簡(jiǎn)單的原...
2021-06-26 標(biāo)簽：電磁輻射GaNADAS系統(tǒng) 3.3k 0
PI GaN產(chǎn)品InnoSwitch3-EP助力簡(jiǎn)化工業(yè)輔助電源設(shè)計(jì)
隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，GaN正從消費(fèi)電子PD快充領(lǐng)域向更廣闊的工業(yè)、汽車、通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域滲透，憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優(yōu)勢(shì)...
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破，推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽：比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3.3k 0
幫助理解GAN的內(nèi)部機(jī)制的交互式可視化工具
而右側(cè)的數(shù)據(jù)分布視圖中，除了原先的綠點(diǎn)（真實(shí)樣本），我們還能看到一些紫點(diǎn)（生成樣本）。在訓(xùn)練過(guò)程中，生成樣本的位置持續(xù)更新，最終趨向于和真實(shí)樣本的分布重...
在中國(guó)深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下，對(duì)電能的需求也隨之上升，從而推動(dòng)了對(duì)宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計(jì)需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟，既要為...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高...
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