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安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN)，作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
GaN（氮化鎵）將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步
實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 （GaN）。
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開(kāi)關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開(kāi)關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 3k 0
基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法，結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念，通過(guò)SiP技術(shù)集成多材料（如Si、GaN、光子器件等）裸片...
芯片濾波器設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)指南
掌握基本的射頻微波理論知識(shí);熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...
GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別
如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料的方法，研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前，ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長(zhǎng)和VCSEL陣列的量產(chǎn)。
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能
氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升，就需要提高開(kāi)關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)頻率在50k...
大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解
近年來(lái)氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 3k 0
開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
電源常用的開(kāi)關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件，不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同
2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2.9k 0
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)...
通常來(lái)講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn)，所以快充充電器比...
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳，以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳；可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式，以節(jié)約高壓輸...
TI LMG3410R050 GaN功率放大級(jí)解決方案
TI公司的LMG3410R050是具有過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來(lái)越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
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