基于系統(tǒng)的可靠性保證實現(xiàn)GaN射頻功率器件產(chǎn)品的高可靠性

氮化鎵射頻器件能夠突破硅基器件的理論極限，實現(xiàn)高頻率/寬頻帶、高功率、高電壓、高效率及高使用溫度的特性，而被逐漸廣泛應(yīng)用于移動通信行業(yè)。移動通訊基站要求...

2018-12-02 標簽：射頻gan 2.8k 0

幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標簽：led功率器件氮化鎵 2.8k 0

GaN功率器件在工業(yè)電機控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標簽：電機控制功率器件氮化鎵 2.8k 0

氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標簽：半導(dǎo)體GaN射頻器件 2.8k 0

什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片？

氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器...

2023-02-11 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2.8k 0

如何在缺陷樣本少的情況下實現(xiàn)高精度的檢測

導(dǎo) 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

2023-06-26 標簽：軟件GaN生成器 2.8k 0

TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術(shù)手冊

TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器mcuPWM 2.8k 0

GaN開發(fā)的PC200材料的特點及使用時的要點

隨著能夠高頻驅(qū)動的半導(dǎo)體“GaN”的普及，開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料，但根據(jù)驅(qū)動頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會有很大的...

2023-08-22 標簽：變壓器半導(dǎo)體開關(guān)電源 2.8k 0

下一代射頻芯片工藝路在何方？

年復(fù)一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...

2023-08-14 標簽：CMOS功率放大器發(fā)射器 2.8k 0

GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、 功率越來越高

摘要 電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率，工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率，這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作，新...

2022-09-15 標簽：帶寬GaNrf功率放大器 2.8k 0

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...

2023-04-29 標簽：功率器件GaN金屬 2.8k 0

SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡化了X波段雷達設(shè)計

性能參數(shù)因應(yīng)用而異，雷達系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍，可用于海上導(dǎo)...

2023-05-20 標簽：半導(dǎo)體RFGaN 2.8k 0

GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅(qū)動

氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅(qū)動。在本文中，我們將...

2024-06-17 標簽：電機驅(qū)動GaN智能功率模塊 2.8k 0

用于脈沖雷達應(yīng)用的氮化鎵HEMT

這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導(dǎo)致的TWT放大器固有的使用壽命相...

2023-05-24 標簽：放大器雷達GaN 2.8k 0

絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)器件技術(shù)

GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...

2023-04-29 標簽：功率器件GaN開關(guān)器件 2.7k 0

IC集成支持平板相控陣天線設(shè)計

高度集成的射頻收發(fā)器芯片有助于提高天線級的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成合成器和數(shù)字信號處理功能。該器件包...

2022-12-19 標簽：adc微波GaN 2.7k 0

如何設(shè)置、設(shè)計及正確地驅(qū)動GaN功率級

您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用H...

2023-04-14 標簽：微控制器GaN 2.7k 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽：充電器晶圓氮化鎵 2.7k 0

嵌入PCB術(shù)語拓展

一、術(shù)語 1、SiP：System-in-Package SiP是一種先進的封裝技術(shù)，它將多個半導(dǎo)體器件、集成電路（IC）或其他電子組件，以及必要的輔助...

2025-01-08 標簽：pcbSiPqfn 2.7k 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 2.7k 0