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功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達成。但是，隨著GaN功率器件輻照強化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會得到更大...
在中國深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下，對電能的需求也隨之上升，從而推動了對宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟，既要為...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實現(xiàn)了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
讓AC/DC電源適配器體積縮小一半、效率超95%，剖析TI低功耗GaN新品
電源適配器作為電子設(shè)備的核心組件之一，隨著電子設(shè)備升級迭代速度加快，電源適配器也在經(jīng)歷著前所未有的快速發(fā)展。為了提高充電效率和安全性，電源適配器在高性能...
使用 GaN 器件縮小外部醫(yī)療 AC/DC 電源的尺寸
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路取得了進步，但醫(yī)療系統(tǒng)是完全不受束縛的純電池設(shè)計可能不可行、...
報告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能 驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動器進化以支持 ...
報告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如Al...
消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊...
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動力學(xué)、殼...
2023-12-06 標簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 2.5k 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 2k 0
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點及應(yīng)用？
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器半導(dǎo)體 9.9k 0
在整個應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時間的推移而減小。電子遷移率下降對溫度的影響
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
在芯片生產(chǎn)制造過程中，各工藝流程環(huán)環(huán)相扣，技術(shù)復(fù)雜，材料、環(huán)境、工藝參數(shù)等因素的微變常導(dǎo)致芯片產(chǎn)生缺陷，影響產(chǎn)品良率。
邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀
根據(jù)諧振腔制造工藝的不同，半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片（EEL） 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 （VCSEL）兩大類，其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...
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