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gan技術(shù)

氮化鎵(GaN)寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

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2023-10-25 標(biāo)簽:寬帶氮化鎵GaN 2.7k 0

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使用GaN(氮化鎵)的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù),解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。

2023-10-20 標(biāo)簽:充電器晶圓氮化鎵 2.7k 0

激光芯片的封裝方式

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2023-10-19 標(biāo)簽:芯片激光器封裝 6.2k 0

激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封裝介紹

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激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來(lái)的三元或者四元體系。

2023-10-19 標(biāo)簽:激光器芯片設(shè)計(jì)諧振器 8.5k 0

競(jìng)爭(zhēng)籌碼幾何?GaN和SiC是共存還是替代呢?

如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動(dòng)力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車等。

2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 869 0

開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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電源常用的開(kāi)關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2.9k 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)...

2023-10-16 標(biāo)簽:電容器功率器件氮化鎵 2.9k 0

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話題,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和電動(dòng)汽車(EV)充電站等設(shè)計(jì)...

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2023-10-12 標(biāo)簽:電感氮化鎵蝕刻 1.4k 0

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2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管GaN 2.6k 0

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作者:Jens Wallmann 電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)...

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作者:得捷電子 事實(shí)證明,高壓 LED 照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID) 照明等先前技術(shù)。隨著高壓 LED照明得到采用,許多制造商爭(zhēng)相生產(chǎn)并在各...

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一個(gè)集成濾波功能的低噪聲放大器設(shè)計(jì)原理圖

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新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...

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