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電動(dòng)汽車(chē)功率轉(zhuǎn)換效率已成當(dāng)務(wù)之急

電動(dòng)汽車(chē)功率轉(zhuǎn)換效率已成當(dāng)務(wù)之急

近日,有權(quán)威人士透露,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入正在制定中的十四五規(guī)劃,以期在2021-2025年期間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 重視之余,還要...

2020-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN快充技術(shù) 5.4k 0

雙面散熱/高度集成/低EMI……德州儀器電源新品助力實(shí)現(xiàn)高功率密度方案設(shè)計(jì)

雙面散熱/高度集成/低EMI……德州儀器電源新品助力實(shí)現(xiàn)高功率密度方案設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)隨著終端智能化和電氣化水平不斷提升,方案設(shè)計(jì)除了要實(shí)現(xiàn)性能指標(biāo)之外,在空間和能效方面的挑戰(zhàn)也越來(lái)越大,因而高功率密度已經(jīng)成...

2024-03-14 標(biāo)簽:電源德州儀器emi 5.4k 0

GaN器件提高電動(dòng)汽車(chē)的功率輸出和能效的方法淺析

隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳能源和節(jié)能運(yùn)輸轉(zhuǎn)移,節(jié)能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)。如今,整個(gè)電動(dòng)汽車(chē)(EV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)率已經(jīng)超過(guò)傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)率的10...

2018-10-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)GaN 5.4k 0

并購(gòu)、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤(pán)點(diǎn)2023年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

在清潔能源、電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展趨勢(shì)下,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注,市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不...

2024-02-18 標(biāo)簽:GaN并購(gòu)第三代半導(dǎo)體 5.4k 0

GaN HEMT正加速成為儲(chǔ)能市場(chǎng)主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標(biāo)簽:GaN儲(chǔ)能HEMT 5.4k 0

納微半導(dǎo)體推出了兩款基于GaN新材料的USB PD充電器

據(jù)納微工程師介紹,這款 65W USB PD 充電器目前正在做相關(guān)認(rèn)證測(cè)試和最終調(diào)試。此外,這款充電器除了內(nèi)置 GaN 功率器件之外,還應(yīng)用了平板變壓器...

2019-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器GaN 5.3k 0

GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億,車(chē)規(guī)GaN猛增9倍

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電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日,功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績(jī)報(bào)告,本年度營(yíng)收達(dá)到8.285億元,同比增長(zhǎng)39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)...

2025-04-01 標(biāo)簽:GaN英諾賽科 5.3k 0

Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

目前,Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V,提高了其抗噪能力和器件性能,無(wú)需負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),并且相比上...

2019-12-13 標(biāo)簽:GaNTransphorm 5.3k 0

在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?

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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的PSU(電源供應(yīng)單元)路線圖,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...

2024-07-08 標(biāo)簽:電源SiCGaN 5.2k 0

一種基于GaN的超高效功率模塊

前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成...

2020-04-27 標(biāo)簽:功率模塊GaN 5.2k 0

垂直GaN迎來(lái)新突破!

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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近垂直GaN功率器件又迎來(lái)新進(jìn)展。7月10日,廣東致能CEO黎子蘭博士,在瑞典舉辦的全球氮化物半導(dǎo)體頂尖會(huì)議ICNS(國(guó)際氮化物...

2025-07-22 標(biāo)簽:功率器件GaN 5.2k 0

年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)32.6%!車(chē)載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺,產(chǎn)業(yè)鏈廠商進(jìn)展如何

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近日,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體公布了最新的財(cái)報(bào),ST SiC領(lǐng)域2023年收入達(dá)到14億美元,計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)15億美元的收入,到2...

2024-04-10 標(biāo)簽:ST功率器件SiC 5.2k 0

重磅!英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和數(shù)字化目標(biāo)達(dá)成

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7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi),英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺(tái)的時(shí)候,看到如下方案:一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSi...

2024-07-22 標(biāo)簽:英飛凌新能源汽車(chē)SiC 5.2k 0

氮化鎵(GaN)已開(kāi)始加速導(dǎo)入至各應(yīng)用市場(chǎng)當(dāng)中

以無(wú)線充電而言,電源轉(zhuǎn)換(Power Conversion)于無(wú)線電源傳輸?shù)脑O(shè)計(jì)會(huì)影響系統(tǒng)的總效率。 像是AC-DC、DC/Switching RF A...

2018-07-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)GaN無(wú)線充電 5.2k 0

科銳與安世半導(dǎo)體簽署 GaN 功率器件專利授權(quán)協(xié)議

近日,科銳(NASDAQ:CREE)宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費(fèi)專利許可協(xié)議。通

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在所有電力電子應(yīng)用中 功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵...

2020-03-14 標(biāo)簽:GaN 5.1k 0

蘋(píng)果、小米的這些操作 讓USB PD、GaN笑出了聲

或許誰(shuí)也沒(méi)想到,繼蘋(píng)果、三星不再附贈(zèng)手機(jī)電源適配器的操作之后,國(guó)內(nèi)廠商的跟進(jìn)速度會(huì)這么快。但更沒(méi)想到的是,在小米的一陣運(yùn)營(yíng)之下,GaN充電器或許將徹底進(jìn)...

2021-01-14 標(biāo)簽:蘋(píng)果GaN小米 5.1k 1

GaN Power HEMT > 650 V:與 SiC MOSFET 的參數(shù)分析和比較

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在過(guò)去幾年中,SiC MOSFET 在高壓 (600V) 和大功率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。熱導(dǎo)率、高臨界場(chǎng)、大大提高的開(kāi)關(guān)效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...

2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)SiC 5.1k 0

什么是氮化鎵?有哪些應(yīng)用?

現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比,體積上大幅縮減,而充電速度卻實(shí)現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?

2024-11-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 5.1k 0

淺談氮化鎵器件的制造難點(diǎn)

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制造氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。

2025-07-25 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 5.1k 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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