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      標簽　>　gan

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      gan資訊

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      GaN為何這么火？究其原因還是在于功率密度的提升，在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能。提升功率密度的四個重要方面包括：降低損...

      2020-11-02 標簽：GaN工業(yè)4.0工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 4.6k 0

      應(yīng)用于工程系統(tǒng)控制的GaN磁性高電子遷移率晶體管

      英國斯旺西大學(xué)和塞爾維亞尼斯大學(xué)的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵（GaN）磁性高電子遷移率晶體管（MagHEMT）。

      2018-09-23 標簽：傳感器晶體管gan 4.6k 0

      專為儲能GaN設(shè)計的高頻QR控制器

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      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）所謂高頻QR控制器是一種功率轉(zhuǎn)換器控制技術(shù)，它通過快速切換（高頻）和準諧振（QR）模式來優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率。這種控制器在...

      2024-04-28 標簽：GaN儲能QR 4.6k 0

      新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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      DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...

      2022-06-21 標簽：氮化鎵GaNGaN器件 4.6k 0

      GaN射頻技術(shù)將如何發(fā)展

      以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體...

      2020-10-26 標簽：射頻SiCGaN 4.6k 0

      不止于充電器！手機內(nèi)置GaN器件會成為下一個趨勢？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在短短幾年間，GaN材料就與“快充”這個詞緊密關(guān)聯(lián)了起來。在快充需求下，GaN已經(jīng)幾乎在手機、筆記本等設(shè)備的充電器上實現(xiàn)普...

      2022-07-18 標簽：智能手機充電器GaN 4.6k 0

      賽微電子北京MEMS產(chǎn)線或于2021年第二季度正式生產(chǎn)

      2月2日，北京賽微電子股份有限公司（以下簡稱“賽微電子”）在其公布的投資者關(guān)系活動記錄表中介紹了北京MEMS產(chǎn)線最新進展和未來產(chǎn)能規(guī)劃情況。

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      國內(nèi)三代半導(dǎo)體氮化鎵團隊獲得“全國創(chuàng)新爭先獎牌”

      美國伯克F3驅(qū)逐艦，它的雷達同樣用了GAN技術(shù)GAN器件帶寬更大，增益也更高，對于雷達來說，更大帶寬意味著更好的分辨率，能夠探測更小的目標，國內(nèi)外雷達工...

      2020-06-12 標簽：半導(dǎo)體GaN手機充電 4.5k 0

      把扎克伯格的臉放到emoji表情包上是一番怎樣的體驗？

      但今天要說的這個表情包就不一樣了，有外國網(wǎng)友把真人頭像和流行的emoji表情結(jié)合在了一起。至于結(jié)合在一起之后能不能看出來是誰，甚至能不能看出來是人。那可...

      2019-09-07 標簽：算法圖像GaN 4.5k 0

      半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

      來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中...

      2023-02-17 標簽：集成電路氮化鎵GaN 4.5k 0

      DeepMind把GAN又玩出了新花樣！推出的是雙視頻判別器GAN

      研究人員表示，由于“高效計算”組件和技術(shù)的使用，再加上新的定制數(shù)據(jù)集，他們訓(xùn)練出的最佳性能模型：雙視頻鑒別器GAN（DVD-GAN）可以生成“高保真度”...

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      《漲知識啦21》之增強型 HEMT器件的應(yīng)用優(yōu)勢

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      GaN 基高電子遷移率場效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是...

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      車規(guī)半導(dǎo)體龍頭安世GaN產(chǎn)品助力電動車向無線充電時代邁進

      聞泰科技 閃耀進博 萬眾矚目的第五屆中國國際進口博覽會（以下簡稱“進博會”）在11月5日正式拉開帷幕，聞泰科技旗下Nexperia（安世半導(dǎo)體）、聞泰通...

      2022-11-11 標簽：電動車分立器件GaN 4.5k 0

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      在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 M...

      2022-08-03 標簽：半導(dǎo)體SiCGaN 4.5k 0

      AI換臉技術(shù)背后竟存在個人隱私泄露風(fēng)險？

      在機器學(xué)習(xí)中，生成式對抗網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用非常多，其最主要的用途就是生成我們想要的數(shù)據(jù)。

      2021-03-16 標簽：AIGaNPhotoshop軟件 4.5k 0

      gan基電力電子器件

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      該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況，進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。

      2020-03-16 標簽：三極管GaN 4.5k 0

      探析GaN在電源中的應(yīng)用及未來發(fā)展

      GaN可以在電源應(yīng)用中提供更高的頻率與效率，并可在僅有硅材料一半空間與功耗的條件下輸出同等的功率。

      2018-12-12 標簽：機器人GaN 4.5k 0

      第三代半導(dǎo)體 全村的希望

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      什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、...

      2020-09-28 標簽：半導(dǎo)體SiCGaN 4.4k 0

      GaN或成5G市場發(fā)展新動力

      在去年12月6日，我國三大運營商的頻譜劃分已經(jīng)塵埃落定。而就在今年，工信部也決定發(fā)放臨時招牌，5G正式進行預(yù)商用，并且預(yù)計2020年商用。無疑今年是5G...

      2019-02-13 標簽：GaN5G 4.4k 0

      iPhone 12或使用Type-C口，蘋欲推出GaN充電器？

      近日，有外媒報道稱，蘋果或許會在今年推出的iPhone 12上使用Type-C接口，以支持更高速率的快速充電。另外，蘋果還會推出一款GaN（氮化鎵）充電...

      2020-02-21 標簽：iPhone蘋果gan 4.4k 0

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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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        智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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        LoRa技術(shù)
        +關(guān)注
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        LTE-Advanced
        +關(guān)注
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      • HBT
        HBT
        +關(guān)注
        　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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      劉士進 jf_38010428 jf_78150839 過過小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

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