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ST和Leti合作研制GaN功率開關(guān)器件制造技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。

2018-09-30 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN 4.8k 0

技術(shù) | 東北大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)出低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED!

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也適應(yīng)于分辨率為2000ppi以上的顯示屏

2019-07-15 標(biāo)簽:低電流GaNMicro LED 4.8k 0

納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。

2021-01-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 4.8k 0

美國SSDI推出GaN FET 用于航空航天及電力電子系統(tǒng)

美國固態(tài)設(shè)備公司(SSDI)推出用于航空航天和國防用高壓氮化鎵(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL轉(zhuǎn)換...

2018-12-07 標(biāo)簽:機器人GaN 4.8k 0

理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及,經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標(biāo)簽:功率二極管功率器件SiC 4.8k 0

非極性氮化鎵基半導(dǎo)體研究

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生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場,這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象,正在進(jìn)行對非極性或半極性氮化鎵...

2023-02-05 標(biāo)簽:發(fā)光二極管氮化鎵GaN 4.8k 0

納米線傳感器“長”出來了,傳感芯片即將到來

該技術(shù)首次實現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線,研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感芯片的發(fā)展。

2019-06-03 標(biāo)簽:傳感器芯片GaN 4.7k 0

清華劉永進(jìn)提出APDrawingGAN ,GAN秒變肖像畫!

但是,這些已有方法多數(shù)針對于生成信息較為豐富的風(fēng)格,如油畫,這些風(fēng)格的圖像中包含很多零碎的圖形元素(如筆觸),而對單個元素的質(zhì)量要求較低。也就是說,在這...

2019-06-15 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 4.7k 0

能創(chuàng)造出有逼真紋理和形狀的一個生成式AI系統(tǒng)

為了評估圖像生成模型,團(tuán)隊計算了用于生成三維模型的 Fréchet Inception Distance(弗雷歇初始距離,F(xiàn)ID)——一種與人類感知相關(guān)...

2018-12-06 標(biāo)簽:人工智能GAN計算機科學(xué) 4.7k 0

如何提高深紫外LED空穴注入效率

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以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度快和抗輻射能力強等優(yōu)點,在固態(tài)照明、電子電力和移動通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

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基于模型的GAN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識:GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性

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2022-12-26 標(biāo)簽:晶體管GaNPA 4.7k 0

北京MEMS產(chǎn)線啟動量產(chǎn),提供高標(biāo)準(zhǔn)MEMS制造服務(wù)

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,北京賽微電子股份有限公司(簡稱:賽微電子)舉行投資者關(guān)系活動,賽萊克斯北京首席科學(xué)家:陸原博士,公司董事、副總經(jīng)理、董事會秘書:...

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Micro LED | 全球首款GaN-on-Silicon 0.7吋單片全高清顯示屏推出

Plessey是一家面向增強和混合現(xiàn)實(AR / MR)顯示應(yīng)用且擁有最前沿Micro-LED技術(shù)的嵌入式技術(shù)開發(fā)商。

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方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片

10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月9000片6英...

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谷歌大腦打造“以一當(dāng)十”的GAN:僅用10%標(biāo)記數(shù)據(jù),生成圖像卻更逼真

Google AI新研究,使用標(biāo)記數(shù)據(jù)量大降90%,生成圖像效果更好

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華為或?qū)⑷孢M(jìn)軍功率器件?

近日,據(jù)知情人士透露,華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬,其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件,據(jù)說隊伍目前已有數(shù)百人。...

2021-04-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體華為GaN 4.7k 0

半導(dǎo)體“黑科技”:氮化鎵(GaN)是何物?

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氮化鎵(GaN)被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了...

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氮化鎵快充技術(shù)已非常成熟,快充市場被徹底激活,消費電子配件市場不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點,被廣...

2021-09-16 標(biāo)簽:SiCGaNGaN快充 4.6k 0

詞庫添新詞: GaN在手機中使用只是時間問題

隨著成本下降,氮化鎵在功率大小和效率方面明顯優(yōu)于現(xiàn)今的技術(shù)。在最早刊登在《網(wǎng)絡(luò)世界》“科技解讀”的博客中,Brent Dietz 介紹了 GaN 在各種...

2018-04-03 標(biāo)簽:GaN5G 4.6k 0

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu),以期實現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。

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