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背? 景 表面缺陷檢測在工業(yè)生產(chǎn)中起著非常重要的作用，基于機(jī)器視覺的表面缺陷檢測可以極大的提升工業(yè)生產(chǎn)的效率。隨著近年來深度學(xué)習(xí)在計算機(jī)視覺領(lǐng)域的發(fā)展，...
近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。根據(jù)兩個主要應(yīng)用：電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防，推動整個氮化鎵射頻...
半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風(fēng)帶雨，好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度...
如何設(shè)計帶有GaN ToF激光驅(qū)動器的LiDAR系統(tǒng)
EPC21601 是一種激光驅(qū)動器，在高達(dá) 200 MHz 的高頻下使用 3.3 V 邏輯進(jìn)行控制，以調(diào)制高達(dá) 10 A 的激光驅(qū)動電流。開啟和關(guān)閉時間...
諾格向美國海軍陸戰(zhàn)隊交付首個GaN G/ATOR系統(tǒng)
諾格公司表示，已向美國海軍陸戰(zhàn)隊（USMC）交付了首架AN/TPS-80地面/空中任務(wù)導(dǎo)向雷達(dá)（G/ATOR），其中采用了先進(jìn)的高功率和高效氮化鎵（Ga...
功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時代
“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共...
2013-07-09 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0
新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計將在2020年達(dá)到近10億美元，推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件？氮化鎵半導(dǎo)體器件特點是什么？
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
7 月 5 日消息，英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r間 7 月 3 日宣布，其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品將于 2025 年...
根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
中國將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體，實現(xiàn)彎道超車目標(biāo)
毋庸置疑，第三代半導(dǎo)體最近真的很火。相關(guān)股市板塊逆勢而上，據(jù)同花順iFinD數(shù)據(jù)，26只第三代半導(dǎo)體概念股半個月的總市值就漲了100億元以上，股價漲幅最...
基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器可提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率
除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始墑e的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外，基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有...
2022-07-25 標(biāo)簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器GaN隔離轉(zhuǎn)換器 4.1k 0
國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展 2018年12月底試產(chǎn)2019年正式量產(chǎn)
近日，在深圳會展中心舉辦的深圳國際電子展上，英諾賽科（珠海）科技有限公司市場銷售副總裁參加“2018（冬季）中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8...
2月13日，在小米10發(fā)布的同時，小米還帶了了一款小米GaN充電器65W，體積小巧，手機(jī)、筆記本都能充，售價149元。
氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體應(yīng)用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料...
采用GaN和SiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品
基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源...
提高頻率是減小尺寸的一種行之有效的方法。對于移動系統(tǒng)而言，實現(xiàn)高效解決方案同樣重要，這是延長電池壽命的關(guān)鍵因素。通過單芯片集成，如增強(qiáng)型氮化鎵功率場效應(yīng)...
這一事實并沒有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律，你可以選擇任何計算機(jī)器，也可以說50年后，將會有一臺機(jī)器能夠比它的運行速度快22?倍。
2019-08-02 標(biāo)簽：GaN深度學(xué)習(xí) 4.1k 0
通常來講，MOSFET/IGBT驅(qū)動提供合適的導(dǎo)通和關(guān)斷電流，以支持輸入電容。驅(qū)動輸出和設(shè)備柵極之間的外部電阻控制壓擺率，并抑制功率和柵極環(huán)路振鈴。
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