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使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn),縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...

2022-08-05 標(biāo)簽:射頻SiCGaN 2.2k 0

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近日,在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕大會(huì)上,香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來(lái)了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...

2023-12-05 標(biāo)簽:射頻氮化鎵GaN 2.2k 0

用于電動(dòng)汽車(chē)的氮化鎵

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能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場(chǎng)。電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本,但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.2k 0

GaN將在所有應(yīng)用市場(chǎng)中發(fā)揮舉足輕重的作用

隨著人們環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),以及制定的碳達(dá)峰/碳中和的目標(biāo),市場(chǎng)對(duì)更高效率、更高功率密度的電源管理產(chǎn)品需求不斷提升,這給了第三代半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)廣闊的發(fā)展空間...

2021-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 2.2k 0

LLC還是反激拓?fù)??完全取決于終端需求

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低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗(因PowiGaN開(kāi)關(guān)而進(jìn)一步降低)再加上無(wú)損耗電流檢測(cè),使HiperPFS-5 IC能夠在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供非常高的變換效率。而且空載...

2022-09-18 標(biāo)簽:適配器GaNLLC 2.2k 0

為什么說(shuō) GaN 是 5G 的超級(jí)“動(dòng)力”

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2022-12-26 標(biāo)簽:GaN5G 2.2k 0

氮化鎵(GaN)如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)

為了提高采用率,電動(dòng)汽車(chē)必須提供安全性和便利性,在這種情況下,這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...

2022-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)DC-DC氮化鎵 2.2k 0

數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU

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數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器,每個(gè)都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存,因此需要增加功率。為了支持...

2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0

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2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)SiC 2.2k 0

2030年GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將超43億美元

TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告揭示了全球GaN(氮化鎵)功率元件市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)潛力。據(jù)預(yù)測(cè),到2030年,該市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的約2.7...

2024-08-15 標(biāo)簽:英飛凌GaN功率元件 2.2k 0

富士通電子轉(zhuǎn)型第一年 重拳立足汽車(chē)電子領(lǐng)域

富士通電子元器件產(chǎn)品管理部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇強(qiáng)調(diào),未來(lái)富士通會(huì)將能源汽車(chē)領(lǐng)域作為重點(diǎn),并不斷擴(kuò)展其業(yè)務(wù),目前還涉及工業(yè)類(lèi)、物聯(lián)網(wǎng)、電源管理方向,并逐漸往電子...

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充電革命 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)的崛起

半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年,隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在...

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當(dāng)前,人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

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2024-03-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)氮化鎵 2.2k 0

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2022-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EPCGaN 2.2k 0

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自硅問(wèn)世以來(lái),寬帶隙半導(dǎo)體,如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比,這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)...

2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN寬帶隙半導(dǎo)體 2.2k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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