Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 2k 0

輸出功率高達(dá)100W！Power Integrations新添900V GaN反激式開關(guān)IC

900V耐壓的GaN器件，為汽車、工業(yè)及家電類應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)選擇。 伴隨著日益增加的功率需求，負(fù)載范圍內(nèi)更高的效率以及不斷升高的供電電壓的市場驅(qū)動，汽車、...

2023-03-30 標(biāo)簽：IC反激式GaN 2k 0

瑞薩電子收購Transphorm，加速GaN功率半導(dǎo)體市場布局

全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布，已成功完成對氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）的...

2024-06-22 標(biāo)簽：GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 2k 0

德州儀器如何用“芯”助力客戶設(shè)計(jì)智能、安全的機(jī)器人

機(jī)器人的應(yīng)用范圍正在從工業(yè)領(lǐng)域拓展到千行百業(yè)。展望未來，機(jī)器人將繼續(xù)影響人類在工作、家庭和日常生活中的體驗(yàn)。在德州儀器的機(jī)器人展區(qū)，我們展示了德州儀器豐...

2023-11-10 標(biāo)簽：傳感器機(jī)器人德州儀器 2k 0

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早

業(yè)界對GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車用高壓功率半導(dǎo)體...

2014-01-22 標(biāo)簽：英飛凌功率器件GaN 2k 0

德州儀器日本會津工廠啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù)，將使TI...

2024-10-26 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵GaN 2k 0

SiC功率器件市場正處在爆發(fā)式增長的前期

我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來已久，但受制于技術(shù)等因素，市場始終不慍不火。然而今年市場出現(xiàn)明顯改觀，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 2k 0

理解寬禁帶半導(dǎo)體的重要性和挑戰(zhàn)

功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識并保證寬禁帶...

2024-06-07 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 2k 0

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標(biāo)簽：SiCGaN 2k 0

利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型

碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高等特性，其品質(zhì)因子優(yōu)異，在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

2022-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 2k 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場增長率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1.9k 0