探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來，因為 5G 的應(yīng)用，大家對射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認為，GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...

2021-06-18 標(biāo)簽：RF氮化鎵GaN 3.3k 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮

? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國家新材料發(fā)展計劃的重中之重?！笆奈濉逼陂g，我國將在教育、科研、開發(fā)、融資...

2021-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體TSMCSiC 1.2萬 0

復(fù)合年增長70%！GaN被快充帶火，用于數(shù)據(jù)中心、電動汽車，未來市場無限可期

近幾年，第三代半導(dǎo)體GaN快速發(fā)展，根據(jù)襯底材料的不同，GaN主要分為幾類：Si基GaN，目前主要應(yīng)用在功率期間中，也逐漸被部分射頻器件采用；藍寶石襯底...

2021-06-16 標(biāo)簽：GaN快充 6.4k 0

你們知道深度學(xué)習(xí)有哪四個學(xué)習(xí)階段嗎

機器學(xué)習(xí)領(lǐng)域是巨大的，為了學(xué)習(xí)不迷路，可以從以下列表幫助學(xué)習(xí)。它概述深度學(xué)習(xí)的一些學(xué)習(xí)細節(jié)。 階段1：入門級入門級能夠掌握以下技能： 能夠處理小型數(shù)據(jù)集...

2021-06-10 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN機器學(xué)習(xí) 3.2k 0

寬禁帶半導(dǎo)體是怎么從頂流成為主流的？

近幾年，中國碳化硅（SiC）項目可謂遍地開花，據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體材料分會統(tǒng)計，截至今年5月，我國從事SiC襯底研制的企業(yè)已經(jīng)有30家，還不包括...

2021-06-08 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2.5k 0

研究人員開發(fā)了一款比現(xiàn)有可用模型更準(zhǔn)確的GaN生物傳感器

GaN生物傳感器基于一種被稱為“生物高電子遷移率晶體管（bio High Electron Mobility Transistor，bioHEMT）”的...

2021-06-07 標(biāo)簽：GaN生物傳感器電介質(zhì) 3.4k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.9k 0

小型化設(shè)計中，高可靠性的EMI抑制電容怎么選？

電子工業(yè)中最持久的趨勢之一就是小型化。半導(dǎo)體技術(shù)的改進強調(diào)減小電子元器件的尺寸，同時也需要顯著提高其性能。智能手機、可穿戴設(shè)備和平板電腦只是利用最新半導(dǎo)...

2021-05-20 標(biāo)簽：pcb電容emi 2.5k 0

GaN將在所有應(yīng)用市場中發(fā)揮舉足輕重的作用

隨著人們環(huán)保意識的增強，以及制定的碳達峰/碳中和的目標(biāo)，市場對更高效率、更高功率密度的電源管理產(chǎn)品需求不斷提升，這給了第三代半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)廣闊的發(fā)展空間...

2021-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 2.2k 0

創(chuàng)新技術(shù)推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品

5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大，但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關(guān)挑戰(zhàn)，確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功？

2021-05-19 標(biāo)簽：賽靈思氮化鎵GaN 1.1k 0

深度解讀知遠ADAS算法

算法 （ALGORITHM） 卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)CNN： Convolution Neural Network 以非內(nèi)存半導(dǎo)體現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA）形...

2021-05-19 標(biāo)簽：GaNadascnn 3.2k 0

三星發(fā)力第三代半導(dǎo)體

5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位...

2021-05-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子GaN 3.2k 0

關(guān)于未來即將出現(xiàn)的GaN創(chuàng)新技術(shù)與其對基站設(shè)計和發(fā)展的影響

現(xiàn)在GaN很火 ，人們似乎忘記了GaN 依然是一項相對較新的技術(shù)，仍處于發(fā)展初期，還有較大的改進潛力和完善空間。本文將介紹多項即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技...

2021-04-24 標(biāo)簽：人工智能GaN功率密度 3.2k 0

意法半導(dǎo)體王巧娣：集成驅(qū)動器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡單

目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費類產(chǎn)品當(dāng)中，但在未來五年中，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 8.5k 0