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gan資訊

德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗

當我們?yōu)殡妱悠嚕‥V)電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路,我們的客戶就可以設計出更高效、更經(jīng)濟實用的汽車,進而減少廢氣排放,保護環(huán)境。 許多駕駛員因里程...

2021-01-05 標簽:電動汽車控制器氮化鎵 1.8k 0

2023年GaN功率元件市場規(guī)模成長至1.9億美元

在軍事應用中,隨著政府的投資并透過取代TWT的系統(tǒng)來改善國家安全,國防將仍然是GaN RF功率元件市場的主要推手之一。

2020-09-25 標簽:網(wǎng)絡GaN功率元件 2.7k 0

聯(lián)想發(fā)布ThinkBook口紅電源Pro,采用GaN技術(shù),小巧輕便

9月24日下午,聯(lián)想舉辦ThinkBook秋季新品發(fā)布會,帶來了包括ThinkBook 13s/14/14s/15/15p多款筆記本電腦。

2020-09-24 標簽:電源聯(lián)想Gan 1.6k 0

Qorvo?推出高性能BAW濾波器,支持Band 41頻段5G基站部署

Qorvo QPQ1298濾波器可為農(nóng)村、城郊及人口稠密的城市地區(qū)提供5G高數(shù)據(jù)容量所需的更高頻率和帶寬。

2020-09-26 標簽:濾波器GaN5G網(wǎng)絡 2.4k 0

小米發(fā)布會改變了GaN的命運 GaN材料破圈成名

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集微網(wǎng)報道 9月初的股市,并沒有秋后的天高氣爽之勢,反而是不斷滑落的大盤指數(shù)帶給股民陣陣涼意。然而,有一個板塊卻逆勢而動,在破萬億成交額的護航下一路飄紅...

2020-09-23 標簽:半導體GaN小米 2.7k 0

到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

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《漲知識啦21》之增強型 HEMT器件的應用優(yōu)勢

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GaN 基高電子遷移率場效應管(HEMT)在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢,并在其應用領域已取得重要進展,但GaN基HEMT器件大功率應用的最大挑戰(zhàn)是...

2020-09-21 標簽:電壓GaN 4.5k 0

GaN充電器  雷軍說它太好用了

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隨著消費電子產(chǎn)品、電動車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代,產(chǎn)品的性能也越來越受重視,尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效,提高功率密度水平,延長電池續(xù)航時...

2020-09-18 標簽:半導體電子GaN 2.8k 0

射頻(RF)應用通過 GaN 技術(shù)的實施而得到了推動

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知名市場分析機構(gòu) Yole Développement(Yole)在其報告中表示,在過去的幾年中,射頻(RF)應用由于 GaN 技術(shù)的實施而得到了推動。...

2020-09-17 標簽:射頻RFGaN 1.6k 0

SiC的總市場容量到2022年將超過10億美元

隨著半導體材料步入第三代半導體時代,行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實上,從特性上來講,SiC和GaN的優(yōu)勢是互補的,應用覆蓋了電動...

2020-09-10 標簽:電動汽車半導體GaN 2.9k 0

第三代化合物半導體發(fā)展如火如荼,中國企業(yè)率先入局

化合物半導體在軍事中的應用領域也不少,在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料,所以被各國視為戰(zhàn)略物資,半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口,是相當重...

2020-09-02 標簽:士蘭微GaN 7k 0

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硅功率器件現(xiàn)正開始達到其性能改進被抑制的階段,不可避免的結(jié)論是來自硅進一步支持的技術(shù)演進的能力逐漸減弱。現(xiàn)在明確地需要實質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

2020-09-01 標簽:功率器件GaN 2.2k 0

賽微電子的半導體業(yè)務繼續(xù)快速發(fā)展且整體盈利良好

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2020年上半年,賽微電子基本每股收益0.0182元,較上年同期下降79.53%;加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.41%,較上年同期下降0.75%(絕對數(shù)值變動...

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半導體材料:Si、SiC和GaN

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作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以...

2020-08-27 標簽:SiCGaN半導體器件 1.4萬 0

盤點17款氮化鎵充電器,將取代傳統(tǒng)硅功率器件

“GaN”中文名“氮化鎵”,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、...

2020-08-26 標簽:充電器GaN 9.1k 0

直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點

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通常來講,MOSFET/IGBT驅(qū)動提供合適的導通和關(guān)斷電流,以支持輸入電容。驅(qū)動輸出和設備柵極之間的外部電阻控制壓擺率,并抑制功率和柵極環(huán)路振鈴。

2020-08-24 標簽:晶體管GaN集成器件 4.1k 0

GaN Systems的GS-EVB-AUD-xx1-GS音頻評估板

GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板(GS-EVB-AUD-AMP1-GS)單獨銷售,也可以與開關(guān)電源(SM...

2020-08-24 標簽:音頻D類放大器GaN 4.3k 0

預計2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元

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根據(jù)中信證券的市場分析,預計2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元,2025年將快速上升至638億元,5年復合增長率高達94%。

2020-08-24 標簽:充電器半導體材料GaN 8.2k 0

微波功率模塊的發(fā)展情況作一介紹與分析

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真空電子器件的發(fā)展可追溯到二戰(zhàn)期間。1963年,TWTA技術(shù)在設計變革方面取得了實質(zhì)性進展,提高了射頻輸出的功率和效率,封裝也更加緊湊。1973年,歐洲...

2020-08-05 標簽:電磁干擾GaN微波功率放大器 3.6k 0

Nubia推出的另一種產(chǎn)品是具有三個充電端口的120W GaN充電器

此外,快速充電器具有120W的功率支持,這是由亞硝酸鎵供電的充電器史上的一個里程碑。在此之前,大多數(shù)GaN充電器的額定功率均為65W或90W,但是Nub...

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     hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。

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