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美國航空航天局(NASA)戈達德太空飛行中心的兩個科學家和工程師團隊正在研究如何利用氮化鎵(GaN)加強空間探索。(1)工程師Jean-Marie La...
硅襯底GaN基LED技術,Micro LED將是晶能光電的重大應用
因具有超高解析度,高色彩飽和度,納秒級響應時間以及低功耗等優(yōu)點,Micro LED成為Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Os...
生成式對抗網(wǎng)絡(Generative adversarial networks, GAN)是當前人工智能學界最為重要的研究熱點之一。其突出的生成能力不僅...
諾格向美國海軍陸戰(zhàn)隊交付首個GaN G/ATOR系統(tǒng)
諾格公司表示,已向美國海軍陸戰(zhàn)隊(USMC)交付了首架AN/TPS-80地面/空中任務導向雷達(G/ATOR),其中采用了先進的高功率和高效氮化鎵(Ga...
第三代半導體材料市場和產(chǎn)業(yè)剛啟動 機遇與挑戰(zhàn)并存
近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導體市場的發(fā)展,而其中以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料更是引發(fā)全球矚目...
以無線充電而言,電源轉換(Power Conversion)于無線電源傳輸?shù)脑O計會影響系統(tǒng)的總效率。 像是AC-DC、DC/Switching RF A...
行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎,具有比硅更...
2018-07-21 標簽:二極管數(shù)據(jù)中心GaN 6.6k 0
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐,但世易時移,新興市場為其應用加速增添了新動能。
近兩年,在學術領域引起世界范圍熱切關注的,當屬2016年AlphaGo大戰(zhàn)李世石,以及隨后AlphaGo與柯潔的人機大戰(zhàn)。對這場圍棋賽事的直播、解說、討...
高頻開關eGaN?功率晶體管、極小型化及增強了效率的電源轉換方案
宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發(fā)板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩(wěn)壓式開發(fā)板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培,...
預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個家庭提供...
2018-07-12 標簽:gan 5.5k 0
7月5日,耐威科技發(fā)布公告,耐威科技與青島即墨、青島城投在 2018 年國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資(青島)峰會上簽署《合作框架協(xié)議書》。
目前而言最先進的商業(yè)衛(wèi)星以100-200Mbps的速度傳輸于地球,而對于一些先進的大型單一衛(wèi)星概念目標為1至4Gbps。
Qorvo近日宣布推出針對下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達設計的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM) ——QPM2637和QPM1002。這些...
從硅晶圓到8英寸晶圓代工報價調漲,世界先進8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底,并積極擴增氮化鎵(GaN)產(chǎn)能,已有國際IDM大廠看好電動車產(chǎn)業(yè)后市,預先包...
納微在中國開設GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新
納微(Navitas)今天宣布在杭州開設新的GaNFast研發(fā)中心,以幫助合作伙伴和客戶設計技術領先的電源轉換器;相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案,這些新設計能...
納微(Navitas) 宣布與文曄科技達成分銷協(xié)議,以期加強客戶關系,并加速GaNFast?功率IC在中國、臺灣和韓國市場的滲透率和銷售額增長。全球首款...
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