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射頻GaN需求飆升,專利申請戰(zhàn)全面啟動

RF GaN已被工業(yè)公司認(rèn)可并成為主流。從知識產(chǎn)權(quán)的角度來看,美國和日本主導(dǎo)著整個RF GaN知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

2019-02-21 標(biāo)簽:射頻IntelRF 2.4k 0

安森美:SiC、GaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

根據(jù)IHS Markit分析,由于混合動力和電動汽車,電源和太陽能逆變器主要應(yīng)用市場的需求,預(yù)計2020年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的...

2019-02-15 標(biāo)簽:電源安森美SiC 1.1萬 0

GaN或成5G市場發(fā)展新動力

在去年12月6日,我國三大運(yùn)營商的頻譜劃分已經(jīng)塵埃落定。而就在今年,工信部也決定發(fā)放臨時招牌,5G正式進(jìn)行預(yù)商用,并且預(yù)計2020年商用。無疑今年是5G...

2019-02-13 標(biāo)簽:GaN5G 4.4k 0

清華團(tuán)隊(duì)首次證明量子計算能利用GAN

量子計算機(jī)雖然強(qiáng)大,但應(yīng)用領(lǐng)域有限。清華叉院孫麓巖團(tuán)隊(duì)在超導(dǎo)電路上實(shí)現(xiàn)了量子生成對抗網(wǎng)絡(luò),精度高達(dá)98.8%,這項(xiàng)工作有望證明量子計算機(jī)在圖像生成等領(lǐng)域...

2019-02-05 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 3k 0

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu),以期實(shí)現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。

2019-02-02 標(biāo)簽:sicgan 4.6k 0

GaN材料有什么好處 為什么這么多人看好

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半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風(fēng)帶雨,好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度...

2019-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 2.2萬 1

探析阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素

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2019-01-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 4.2k 0

納微半導(dǎo)體推出了兩款基于GaN新材料的USB PD充電器

據(jù)納微工程師介紹,這款 65W USB PD 充電器目前正在做相關(guān)認(rèn)證測試和最終調(diào)試。此外,這款充電器除了內(nèi)置 GaN 功率器件之外,還應(yīng)用了平板變壓器...

2019-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器GaN 5.3k 0

探析各大GaN功率半導(dǎo)體廠商

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GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料,但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性,并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長,在面積與整體成本...

2019-01-08 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 8.5k 0

針對計算機(jī)生成的假臉假視頻DeepFake較為全面測評的論文

他們經(jīng)過一系列實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)前已有的先進(jìn)人臉識別模型和檢測方法,在面對 DeepFake 時基本可以說是束手無策——性能最優(yōu)的圖像分類模型 VGG 和基于...

2019-01-02 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫GAN人臉識別 7.8k 0

GaN|Yole預(yù)測:2023年GaN功率業(yè)務(wù)可能達(dá)到約4.23億美元

Yole技術(shù)與市場分析師Ana Villamor博士評論道:“在各種應(yīng)用市場中,市場增長的積累,特別是在這種情況下最重要的電源市場,確認(rèn)了我們的第一個場...

2018-12-28 標(biāo)簽:智能手機(jī)充電器GaN 9.9k 0

國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展 2018年12月底試產(chǎn)2019年正式量產(chǎn)

近日,在深圳會展中心舉辦的深圳國際電子展上,英諾賽科(珠海)科技有限公司市場銷售副總裁參加“2018(冬季)中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8...

2018-12-26 標(biāo)簽:充電器GaN 4.1k 0

北京耐威宣布成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓

近日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,其控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱“聚能晶源”)成功研制“8英寸...

2018-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓GaN 7.8k 0

2019影響全球不斷升級的數(shù)據(jù)和電力需求的大趨勢

在過去的幾十年里,電力這個話題一直被視為主要集中于提高設(shè)備的運(yùn)行效率和降低成本的一個挑戰(zhàn)。今天,隨著能源效率在日益依賴電力的行業(yè)中逐漸成為一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措,...

2018-12-18 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 1.7k 0

意法半導(dǎo)體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展

今年9月,意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展,并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線,包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。

2018-12-18 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN 6.2k 0

2018年下半年機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域被密切關(guān)注的成果

希望研究者在發(fā)表論文的同時可以開源自己的代碼實(shí)現(xiàn)。在過去 5 年的時間里,我們處理了60000 多篇機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的論文,在這些論文中,只有 12% 的論...

2018-12-18 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)NLP 4k 0

在網(wǎng)上如何區(qū)別機(jī)器人和真人

在網(wǎng)上如何區(qū)別機(jī)器人和真人

目前基本還是要靠驗(yàn)證碼,目前已經(jīng)用了近20年,但這招以后可能不管用了!中英兩國研究人員聯(lián)合開發(fā)了一套基于GAN的驗(yàn)證碼AI識別系統(tǒng),能在0.5秒之內(nèi)識別...

2018-12-17 標(biāo)簽:機(jī)器人GAN 7.2k 0

英偉達(dá)推出基于風(fēng)格的生成器新結(jié)構(gòu),GAN 2.0橫空出世

在上面的動圖中,其實(shí)面部已經(jīng)完全變了,但“源”和“樣式”的明顯標(biāo)記顯然都得到了保留,例如最底下一排圖片的藍(lán)色襯衫。為什么會這樣?請注意,所有這些都是完全...

2018-12-16 標(biāo)簽:GAN英偉達(dá) 3.4k 0

一套基于GAN的驗(yàn)證碼AI識別系統(tǒng),能在0.5秒之內(nèi)識別出驗(yàn)證碼

近日,英國蘭卡斯特大學(xué)、中國西北大學(xué)、北京大學(xué)的計算機(jī)科學(xué)家們共同開發(fā)了一種AI系統(tǒng),能夠在短短0.5秒內(nèi)識別出多種驗(yàn)證碼。該系統(tǒng)已在不同的33個驗(yàn)證碼...

2018-12-16 標(biāo)簽:GAN識別系統(tǒng)圖像分類 5.9k 0

國產(chǎn)5G通信基站GaN功率放大器芯片通過認(rèn)證

在10日揭幕的2018中國國際應(yīng)用科技交易博覽會上,國產(chǎn)5G通信基站GaN(氮化鎵)功率放大器芯片,在中國發(fā)明成果轉(zhuǎn)化研究院展區(qū)對外亮相。

2018-12-14 標(biāo)簽:放大器GaN5G 1.0萬 0

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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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