5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑，GaN快速增長

4G和5G基站大功率RF市場格局目前正在發(fā)生變化：原有占主導(dǎo)地位的LDMOS RF元件市場份額開始下滑，而新興GaN RF元件市場份額開始快速增長。主要...

2016-09-02 標(biāo)簽：GaN5G基站射頻 3k 1

Qorvo：5G時代GaN更有優(yōu)勢 RF芯片良性增長

盡管未來 3～4 年全球智能手機(jī)出貨放緩，射頻芯片的出貨量仍會因頻譜和射頻器件數(shù)量的增加以 10～15% 的速度良性增長。7月14日，Qorvo 在山東...

2016-07-15 標(biāo)簽：GaN5GRF芯片 3.3k 0

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管，實現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動整個市場劃分。”MACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...

2016-06-03 標(biāo)簽：氮化鎵GaNMACOM 2.6k 0

崛起的大陸功率半導(dǎo)體，日本如鯁在喉

　　功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域。如今在這個領(lǐng)域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 5k 0

安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

　　氮化鎵（GaN）是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計如功率因數(shù)校正（PFC）、軟開關(guān)DC-D...

2016-04-28 標(biāo)簽：安森美晶體管GAN 1.2k 0

富士通電子轉(zhuǎn)型第一年 重拳立足汽車電子領(lǐng)域

富士通電子元器件產(chǎn)品管理部高級經(jīng)理蔡振宇強(qiáng)調(diào)，未來富士通會將能源汽車領(lǐng)域作為重點，并不斷擴(kuò)展其業(yè)務(wù)，目前還涉及工業(yè)類、物聯(lián)網(wǎng)、電源管理方向，并逐漸往電子...

2016-03-25 標(biāo)簽：汽車電子GaNFRAM 2.2k 2

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 2k 0

Qorvo將GaN應(yīng)用于 Ka 波段以改善衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 K...

2015-09-17 標(biāo)簽：GaNQorvo 1.4k 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 6.3k 1

安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統(tǒng)方案

2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transpho...

2014-09-26 標(biāo)簽：GaN安森美公司Transphorm公司 1.4k 0

新一代功率半導(dǎo)體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國IHSGlobal預(yù)測稱，功率半導(dǎo)體市場將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場規(guī)模預(yù)計在2017年，將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

2014-02-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

業(yè)界對GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車用高壓功率半導(dǎo)體...

2014-01-22 標(biāo)簽：英飛凌功率器件GaN 2k 0

新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0

明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產(chǎn)品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標(biāo)簽：IGBTSiCGaN 1.4k 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場，預(yù)計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...

2013-09-18 標(biāo)簽：電力電子SiCGaN 3.4k 0

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

今天，富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

2013-07-23 標(biāo)簽：功率器件GaN 1.4k 0

功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共...

2013-07-09 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標(biāo)簽：飛思卡爾GaNLDMOS 2.3k 0