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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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牽引逆變器需求開(kāi)始回暖,性能持續(xù)提升推動(dòng)電氣化進(jìn)程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))近日,TrendForce發(fā)布了最新的全球電動(dòng)車(chē)逆變器市場(chǎng)數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)顯示,因受電動(dòng)車(chē)傳統(tǒng)淡季影響,2024年第一季全球牽引...
極海推出首款GHD3440電機(jī)專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器
? 柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。隨著各種智能電子設(shè)備的不斷普及和應(yīng)用,...
2024-06-07 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.9萬(wàn) 0
測(cè)量IGBT的門(mén)級(jí)可以用低壓探頭嗎?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種集成了MOSFET和雙極型晶體管特性的功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際的工程應(yīng)...
國(guó)產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國(guó)際市場(chǎng)
前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個(gè)國(guó)家和地區(qū)科研機(jī)構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地?cái)U(kuò)張產(chǎn)能,測(cè)...
聚焦功率半導(dǎo)體測(cè)試 | 普賽斯儀表多款測(cè)試新品亮相中國(guó)光谷九峰山論壇
“聚勢(shì)賦能共赴未來(lái)”,2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),已在中國(guó)武漢光谷圓滿(mǎn)落下帷幕。此次活動(dòng)作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...
攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎(jiǎng)”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)
全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時(shí)代,功率半導(dǎo)體成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...
捷捷微電與晶能微電子深化合作,共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近日,捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“晶能”)在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標(biāo)志著雙方在工控IGBT領(lǐng)域的合作將進(jìn)一步加...
在現(xiàn)代社會(huì),工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而,近年來(lái),全球眾多國(guó)家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)
傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷行為的潛力,對(duì)開(kāi)關(guān)損耗是很大的拖累。
200億,這里崛起一個(gè)半導(dǎo)體超級(jí)獨(dú)角獸
來(lái)源:投資界 近日,株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體”)宣布增資引入26位戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái),金額為人民幣 43.278億元。 據(jù)...
東芝12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠完工,產(chǎn)能預(yù)計(jì)提升2.5倍
東芝透露,目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝,旨在確保在2024財(cái)年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn),東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將達(dá)到...
2024-05-27 標(biāo)簽:東芝IGBT功率半導(dǎo)體 1.5k 0
安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):三福半導(dǎo)體)成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的揭牌儀式。
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)M...
東風(fēng)汽車(chē):智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)
5月22日,東風(fēng)汽車(chē)官方發(fā)布消息表示,該司已聯(lián)手中國(guó)中車(chē)在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體,旨在通過(guò)自主研發(fā)突破,掌握生產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊的技術(shù),并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)...
2024-05-22 標(biāo)簽:IGBT碳化硅東風(fēng)汽車(chē) 1.5k 0
功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...
英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管,如Co...
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
在IGBT雙脈沖測(cè)試中需要用到兩個(gè)脈寬和間隔可調(diào)的脈沖信號(hào),通常可以使用控制板編寫(xiě)程序來(lái)實(shí)現(xiàn),但這種方式不太靈活,更換不同控制板平臺(tái)需要重新編寫(xiě)程序,而...
2024-05-09 標(biāo)簽:IGBT信號(hào)發(fā)生器 1.4k 0
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