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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷??捎糜谪?fù)載開關(guān)和電池 保護(hù)應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
NP2012(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2012使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM應(yīng)...
NP2312AMR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2312A使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
NP2016 20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET概述
NP2016使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費(fèi)操作門電壓2.5 v。Thisdevice適合作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用程序。
NP3401HR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401HR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
np3401mr - n30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR-N采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈...
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP3433EHR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3433EHR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301FVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PW...
NP2301FHR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FHR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PW...
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