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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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擴(kuò)大碳化硅晶圓供應(yīng)

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在環(huán)境問題、國(guó)家法規(guī)和消費(fèi)者壓力的推動(dòng)下,全球汽車電氣化競(jìng)賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,一直是電動(dòng)汽車(EV)的技術(shù)加速器,因?yàn)樗?..

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 529 0

高壓碳化硅如何重新定義關(guān)鍵電源

全球電氣化、人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心、能源轉(zhuǎn)型和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施正推動(dòng)著前所未有的電力需求 — 而處于這一轉(zhuǎn)變核心的負(fù)載是動(dòng)態(tài)的、雙向的,并且日益集中在...

2026-04-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)SiC碳化硅 527 0

1500V 時(shí)代的快充樞紐:固變SST與SiC ANPC拓?fù)湓谡淄呒?jí)充電站中的應(yīng)用與技術(shù)演進(jìn)

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2026-03-12 標(biāo)簽:SiCSST快充 525 0

丙午烈馬,馳騁芯途:2026年SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革

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丙午烈馬,馳騁芯途:2026年SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革-以夢(mèng)為馬不負(fù)韶華 —— 獻(xiàn)給電力電子行業(yè)的追夢(mèng)人:歸途有光,芯中有火 第一部分:丙午馬年的...

2026-02-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 524 0

“三個(gè)必然”戰(zhàn)略論斷對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的業(yè)務(wù)指引作用與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)路徑

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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷從硅(Si)基向?qū)捊麕В╓BG)材料轉(zhuǎn)型的歷史性時(shí)刻,中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),正處于技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的十字路口。

2026-01-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 523 0

傾佳電子SiC碳化硅功率模塊在高效水泵風(fēng)機(jī)變頻器中的應(yīng)用價(jià)值:一項(xiàng)技術(shù)分析

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2025-11-02 標(biāo)簽:變頻器SiC 523 0

直流電弧物理特性與固態(tài)滅弧機(jī)制:從物理底層理解SiC模塊構(gòu)建的固斷SSCB固態(tài)斷路器為何能徹底消除機(jī)械電弧

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2026-03-17 標(biāo)簽:斷路器SiC直流電弧 521 0

飛跨電容三電平拓?fù)渑cSiC碳化硅升壓模塊技術(shù)演進(jìn)及應(yīng)用價(jià)值

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2026-03-12 標(biāo)簽:電容SiC三電平 520 0

立山科學(xué)TWT系列NTC熱敏電阻:專為功率半導(dǎo)體溫度檢測(cè)而生

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深圳市智美行科技有限公司作為日本立山科學(xué)株式會(huì)社中國(guó)區(qū)官方授權(quán)代理商,為廣大工程師和研發(fā)團(tuán)隊(duì)帶來高性能、高可靠性的TWT系列NTC熱敏電阻產(chǎn)品。

2025-12-04 標(biāo)簽:NTC車載電子SiC 516 0

羅姆節(jié)能產(chǎn)品矩陣為構(gòu)建綠色低碳社會(huì)提供支持

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臨近植樹節(jié),萬物萌新。在科技的疆域里,羅姆同樣耕耘著更深層的綠意——以創(chuàng)新之力探索能效邊界,為地球的可持續(xù)未來注入持久的動(dòng)力。多年技術(shù)深耕,構(gòu)建起覆蓋多...

2026-03-12 標(biāo)簽:封裝SiC羅姆 513 0

ROHM推出全新第5代SiC MOSFET產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,開發(fā)出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”,該產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車)用...

2026-04-27 標(biāo)簽:MOSFETSiCRohm 512 0

5兆瓦M(jìn)W固態(tài)變壓器(SST)深度研究報(bào)告:拓?fù)溲葸M(jìn)、技術(shù)趨勢(shì)與SiC功率器件的戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)

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2025-12-26 標(biāo)簽:功率器件SiC固態(tài)變壓器 508 0

2025年終總結(jié):SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化

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2025-12-31 標(biāo)簽:功率器件SiC 505 0

深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制

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深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電...

2026-01-26 標(biāo)簽:SiC功率MOSFET碳化硅 502 0

海上直流風(fēng)電匯集系統(tǒng)深度分析與碳化硅(SiC)功率模塊的技術(shù)價(jià)值研究報(bào)告

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2026-02-12 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 501 0

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2026-02-24 標(biāo)簽:SiC焊機(jī)功率半導(dǎo)體 500 0

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全液冷PCS革新:SiC模塊+液冷散熱方案在工商業(yè)儲(chǔ)能中的可靠性進(jìn)化 引言:工商業(yè)儲(chǔ)能高功率密度與極端環(huán)境的雙重挑戰(zhàn) 在全球能源轉(zhuǎn)型與新型電力系統(tǒng)建設(shè)的...

2026-03-10 標(biāo)簽:SiCPCS 497 0

構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)的核心技術(shù)演進(jìn):SiC模塊高頻調(diào)制賦能電網(wǎng)虛擬慣量支撐與弱電網(wǎng)穩(wěn)定

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建多條產(chǎn)線意為國(guó)產(chǎn)SiC補(bǔ)缺口

2022年我們主要聚焦于碳化硅長(zhǎng)晶熱場(chǎng)材料和多孔石墨材料的開發(fā)。在針對(duì)不同類型長(zhǎng)晶爐的保溫需求方面做了各自適配的固化氈產(chǎn)品。

2023-02-27 標(biāo)簽:SiC碳化硅 490 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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