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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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三相 ANPC 拓?fù)渲械?SiC 模塊應(yīng)用指南:針對(duì)高性能逆變器應(yīng)用的選型與設(shè)計(jì)建議 引言與行業(yè)發(fā)展背景 在全球能源轉(zhuǎn)型、碳中和目標(biāo)以及電氣化浪潮的強(qiáng)力...
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碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對(duì)ANPC總諧波失真(THD)的影響
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對(duì)有源中點(diǎn)鉗位(ANPC)儲(chǔ)能變流器死區(qū)時(shí)間與輸出總諧波失真(THD)的深層影響分析 引言與新型儲(chǔ)能變流器的技術(shù)背景 在現(xiàn)代...
未來十年SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來顯著增長(zhǎng)
近日,日本知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(FujiKeizai)發(fā)布了最新全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告指出,到2035年,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到73...
2026-05-11 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 79 0
無鎖相環(huán) (PLL-less) 同步算法:利用 SiC 高頻響應(yīng)實(shí)現(xiàn)的電壓源型控制
無鎖相環(huán) (PLL-less) 同步算法:利用 SiC 高頻響應(yīng)實(shí)現(xiàn)的電壓源型控制實(shí)務(wù) 1. 緒論:高比例電力電子電網(wǎng)下的同步范式演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)向...
SIC MOS+氮化硼導(dǎo)熱材料在戶儲(chǔ)產(chǎn)品中的應(yīng)用 | 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手:萃錦半導(dǎo)體+晟鵬科技
概述在全球能源結(jié)構(gòu)加速轉(zhuǎn)型、可再生能源滲透率不斷提升的背景下,戶用儲(chǔ)能系統(tǒng)(ResidentialEnergyStorageSystem,RESS)正從...
SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制:基于極速開關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除
全SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制:基于極速開關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除與電磁兼容策略 引言 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化與高度電氣化轉(zhuǎn)型的宏...
研發(fā)實(shí)戰(zhàn):解決SiC驅(qū)動(dòng)中的“共模電流反饋”振蕩核心洞察與拓?fù)鋭?chuàng)新
研發(fā)實(shí)戰(zhàn):解決SiC驅(qū)動(dòng)中的“共模電流反饋”振蕩核心洞察與拓?fù)鋭?chuàng)新 引言:寬禁帶功率變換系統(tǒng)中的高頻動(dòng)態(tài)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代大功率能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,碳化硅(SiC)...
2026-05-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)SiC共模電流 44 0
1500V集中式大儲(chǔ)長(zhǎng)時(shí)過載下的動(dòng)態(tài)損耗受控模型
基于SiC模塊的ANPC三電平變換器熱均衡優(yōu)化:1500V集中式大儲(chǔ)長(zhǎng)時(shí)過載下的動(dòng)態(tài)損耗受控模型與多物理場(chǎng)協(xié)同策略 引言:1500V集中式大儲(chǔ)系統(tǒng)與AN...
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驅(qū)動(dòng)芯片的退飽和保護(hù)邏輯:針對(duì) SiC 的特殊 I/V 曲線進(jìn)行閾值調(diào)優(yōu) 在現(xiàn)代高功率電力電子系統(tǒng)的演進(jìn)歷程中,碳化硅 (SiC) MOSFET 憑借其...
2026-05-13 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)芯片 15 0
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