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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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新能源汽車如何用上“第三代半導(dǎo)體”?

9月27日,2020世界新能源汽車大會云峰會之一第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù),從芯片、模塊、封...

2020-10-14 標(biāo)簽:芯片新能源汽車半導(dǎo)體 4k 0

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

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天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計2024年月產(chǎn)能將達(dá)到...

2023-11-24 標(biāo)簽:晶圓代工SiC碳化硅 4k 0

方正微電子:2025年將實(shí)現(xiàn)16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能

近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進(jìn)展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 4k 0

通過TEM技術(shù)觀測缺陷位點(diǎn)附近的聲子傳播

? 晶體中的缺陷結(jié)構(gòu)會通過影響散射聲子影響聲子譜,導(dǎo)致材料的熱力學(xué)、傳熱性質(zhì)變化,為了精確的表征缺陷對固體中導(dǎo)熱、熱擴(kuò)散的影響,理解聲子-缺陷之間的相互...

2021-02-13 標(biāo)簽:SiC電鏡 4k 0

碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標(biāo)配?

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根 據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業(yè),合計占 據(jù) 93%的市場份額,其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 4...

2023-12-22 標(biāo)簽:新能源汽車IGBTSiC 4k 0

碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能、用途

碳化硅長絲的制造過程是將聚硅烷在400℃以上,發(fā)生熱轉(zhuǎn)位反應(yīng),使側(cè)鏈上的甲基以亞甲基的形式,導(dǎo)入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過干法紡絲或熔體紡絲...

2023-01-04 標(biāo)簽:纖維SiC碳化硅 4k 0

國產(chǎn)替代突破!深圳爭妍微工業(yè)級、車規(guī)級可控硅系列賦能汽車空調(diào)升級,替代NXP BTA20

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車規(guī)級元器件的國產(chǎn)替代已進(jìn)入‘深水區(qū)’,尤其是汽車空調(diào)、電控等核心場景,對器件的溫寬適應(yīng)性、抗干擾能力要求極致。NXP BTA20能長期占據(jù)市場,核心在...

2025-12-23 標(biāo)簽:MOSFET可控硅IGBT 4k 0

電力電子變換中ZVS技術(shù)的全景解析與碳化硅(SiC)的革命性貢獻(xiàn)

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全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2026-02-14 標(biāo)簽:SiC碳化硅 4k 0

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...

2023-10-27 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅 4k 0

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用的碳化二極管

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。

2018-12-04 標(biāo)簽:二極管安森美半導(dǎo)體SiC 4k 0

在五電平單相轉(zhuǎn)換器中使用SiC降低開關(guān)電壓應(yīng)力

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仿真結(jié)果表明這種 T 型拓?fù)湓谒璧脑试S范圍內(nèi)的適用性。它提供了諸如鉗位開關(guān)數(shù)量減少和雙向開關(guān)減少等優(yōu)點(diǎn)。這些新穎的 T 型腿拓?fù)滹@示的開關(guān)電壓應(yīng)力小于...

2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電平轉(zhuǎn)換器SiC 3.9k 0

我國首條SiCIPM生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 實(shí)現(xiàn)了戰(zhàn)略新興行業(yè)又一次重要的突破

近日,國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產(chǎn),標(biāo)志著我國在碳化硅芯片這個戰(zhàn)略新興行業(yè)又實(shí)現(xiàn)了一次重要的突破。

2018-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCIPM 3.9k 0

功率SiC大事件! 英飛凌在馬來西亞啟動全球最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

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8月8日,全球推進(jìn)低碳化的舉措拉動了對功率半導(dǎo)體的市場需求。順應(yīng)這一趨勢,英飛凌科技股份公司宣布,其位于馬來西亞的新晶圓廠一期項目正式啟動運(yùn)營,建設(shè)完成...

2024-08-09 標(biāo)簽:電動汽車英飛凌晶圓 3.9k 0

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC...

2023-02-21 標(biāo)簽:二極管SiC碳化硅 3.9k 0

開關(guān)電源環(huán)路控制策略的演進(jìn):從模擬起源到AI賦能與SiC技術(shù)變革的綜合研究報告

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電力電子技術(shù)作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換的核心,正在經(jīng)歷一場由半導(dǎo)體材料物理突破與控制理論深化共同驅(qū)動的范式轉(zhuǎn)移。

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使用AlN(氮化鋁)成功實(shí)現(xiàn)晶體管操作

在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...

2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3.9k 0

半導(dǎo)體材料“3C-SiC”的晶體純度和質(zhì)量進(jìn)展

這次,合作團(tuán)隊使用 Air Water 開發(fā)的 3C-SiC 晶體,評估了熱導(dǎo)率并進(jìn)行了原子級分析。具體而言,首先,在硅(Si)基板上形成厚度100μm...

2022-12-21 標(biāo)簽:晶體SiC 3.9k 0

SiC和GaN對傳統(tǒng)Si功率電子的影響

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由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而...

2019-05-30 標(biāo)簽:SiCGaN功率電子 3.9k 0

Cree出售照明業(yè)務(wù),將重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體

碳化硅被用作5G無線和電動汽車等重要技術(shù)的半導(dǎo)體,這兩個領(lǐng)域?qū)⒊蔀槲磥韼啄晷枨笤鲩L的重點(diǎn)。Lowe去年告訴《 N&O》雜志,Cree已經(jīng)是德國汽車制造商...

2020-10-20 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體SiC 3.9k 0

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案 進(jìn)一步提高電力電子器件效率

通過使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。

2020-06-06 標(biāo)簽:電動汽車電子器件SiC 3.9k 0

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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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