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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì) 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助...
2025-09-21 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 805 0
傾佳電子SiC碳化硅半導(dǎo)體斷路器重新定義電動(dòng)汽車功率分配
傾佳電子SiC碳化硅半導(dǎo)體斷路器重新定義電動(dòng)汽車功率分配 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電...
傾佳電子超越100kW:用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì)
傾佳電子超越100kW:用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功...
BASiC基本半導(dǎo)體新一代(G3)SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)
BASiC基本半導(dǎo)體新一代(G3)SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...
傾佳電子SiC功率模塊:超大功率全橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告
傾佳電子BMF540R12KA3 SiC功率模塊:超大功率全橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體...
基本半導(dǎo)體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲(chǔ)微網(wǎng)中的應(yīng)用及固態(tài)直流斷路器技術(shù)深度分析
基本半導(dǎo)體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲(chǔ)微網(wǎng)中的應(yīng)用及固態(tài)直流斷路器技術(shù)深度分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...
傾佳電子基于碳化硅(SiC)的雙向非隔離式Buck-Boost電源設(shè)計(jì)報(bào)告:儲(chǔ)能與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用深度分析
傾佳電子基于碳化硅(SiC)的雙向非隔離式Buck-Boost電源設(shè)計(jì)報(bào)告:儲(chǔ)能與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用深度分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
2025-09-17 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)SiC 971 0
傾佳電子新能源汽車主驅(qū)技術(shù)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的深度價(jià)值分析報(bào)告
傾佳電子新能源汽車主驅(qū)技術(shù)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的深度價(jià)值分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分...
傾佳電子DPT雙脈沖測(cè)試:從原理、應(yīng)用到SiC MOSFET功率器件在電力電子領(lǐng)域中的深層意義
傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測(cè)試(DPT)作為功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能評(píng)估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值。
2025-09-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2k 0
瑞能半導(dǎo)體亮相SEMI-e 2025深圳國(guó)際半導(dǎo)體展
在全球“雙碳”目標(biāo)與智能出行浪潮的雙重驅(qū)動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心引擎。作為專注于功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè),瑞能半導(dǎo)體攜重磅產(chǎn)品,特別是...
2025-09-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC瑞能半導(dǎo)體 1.1k 0
安世半導(dǎo)體Irene Deng將在2025 I.S.E.S峰會(huì)發(fā)表主題演講
隨著移動(dòng)出行、工業(yè)制造與能源系統(tǒng)對(duì)高效能、高電壓應(yīng)用需求的迅猛增長(zhǎng),功率半導(dǎo)體正成為推動(dòng)全球產(chǎn)業(yè)變革的核心引擎。本屆I.S.E.S峰會(huì)匯聚全球行業(yè)領(lǐng)軍者...
2025-09-12 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1.2k 0
瞻芯電子榮獲上海市企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定
近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商——上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”),經(jīng)多維度嚴(yán)格評(píng)審,憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新體系與...
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開(kāi)啟大規(guī)模商用
全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品...
傾佳電子行業(yè)洞察:碳化硅(SiC)模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析
傾佳電子行業(yè)洞察電力電子技術(shù)演進(jìn)的必然:碳化硅(SiC)模塊加速取代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的深度剖析,SiC模塊正在加速革掉IGBT模塊的命!...
新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝
新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引...
傾佳電子交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù):原理、優(yōu)勢(shì)及其在SiC碳化硅MOSFET大功率應(yīng)用中的協(xié)同增效分析
傾佳電子交錯(cuò)并聯(lián)(Interleaved Parallel)技術(shù):原理、優(yōu)勢(shì)及其在SiC碳化硅MOSFET大功率應(yīng)用中的協(xié)同增效分析 傾佳電子(Chan...
傾佳電子SiC功率模塊在鋰電池供電三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心電源中的應(yīng)用價(jià)值深度分析報(bào)告
傾佳電子SiC功率模塊在鋰電池供電三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心電源中的應(yīng)用價(jià)值深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因
傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析
傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
傾佳電子BTD5452R隔離型SiC碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器米勒鉗位串?dāng)_抑制與DESAT短路保護(hù)的技術(shù)價(jià)值
現(xiàn)代功率電子系統(tǒng),如光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和儲(chǔ)能變流器(PCS),正朝著高效率、高功率密度和高可靠性的方向快速發(fā)展。伴隨著第三代半導(dǎo)體(如碳化硅SiC ...
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