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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC前景火爆,國產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場先機?
由于材料限制,傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限,如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航?、器件開關速度等,尤其在高頻和高功率領域更顯示出其局限性。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日,有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤的D輪融資,成功入股泰科天潤。SK集團本身具備SiC晶圓廠,...
太陽能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個重要方案。大多數(shù)人都知道,過去10年來太陽能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽能選址(太陽能的位置)和共同土地使用...
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運...
美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長的對...
使用DIC技術(shù)測量碳化硅SiC纖維束絲的力學性能—測試過程詳解
碳化硅(SiC)纖維束絲是一種高性能、高溫材料,具有優(yōu)異的力學性能和高溫穩(wěn)定性,在航空航天、能源、化工等領域有廣泛的應用前景。為了更好地研究SiC纖維束...
CAN SIC收發(fā)器助力復雜CAN網(wǎng)絡高效可靠通信(1)
現(xiàn)在的汽車通過豐富多項功能來提升其安全性、性能和舒適性。從動力總成到高級駕駛輔助系統(tǒng),從車身電子控制和照明到信息娛樂和安全,大量電子控制單元(ECU)被...
碳化硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓上實現(xiàn)超高Q值SAW諧振器的色散調(diào)控新機制
中科院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高質(zhì)量LiTaO3-on-SiC單晶壓電異質(zhì)襯底,揭示了其中水平剪切波模式(SH-SAW)的主偏振分...
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關速度和功率密度,廣泛應用于多...
國揚公司成功通過江蘇省專精特新中小企業(yè)和市級企業(yè)技術(shù)中心的認定
日前,江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業(yè)名單(第二批),揚州國揚電子有限公司成功入選;同時,國揚公司也順利通過了揚州市級企業(yè)技術(shù)中心的認...
國產(chǎn)SiC模塊替代進口IGBT模塊在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值
國產(chǎn)SiC模塊BMF540R12MZA3替代進口IGBT模塊2MBI800XNE-120在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值 BASiC Sem...
蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考...
SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
碳化硅功率器件的封裝關鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機遇
目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過金屬鍵合線引出正面電極...
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