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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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長(zhǎng)光辰芯發(fā)布8K APS-C畫(huà)幅背照式堆棧CMOS圖像傳感器新品,CMOS圖像傳感器價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇

長(zhǎng)光辰芯發(fā)布8K APS-C畫(huà)幅背照式堆棧CMOS圖像傳感器新品,CMOS圖像傳感器價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇

? 傳感新品 【中山大學(xué):研發(fā)可拉伸自供電傳感器,可檢測(cè)痕量生物標(biāo)志物!】 及時(shí)和遠(yuǎn)程的生物標(biāo)志物檢測(cè)在個(gè)性化醫(yī)療和健康保護(hù)中是非常需要的,但在迄今為止...

2023-09-04 標(biāo)簽:傳感器芯片SiC 2.5k 0

在SiC市場(chǎng),各企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)主要集中在哪些方面

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,具有更高頻、...

2020-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 2.5k 0

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化...

2023-10-24 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅 2.5k 0

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

近年來(lái),碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。

2023-10-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.5k 0

碳化硅外延設(shè)備廠(chǎng)商納設(shè)智能啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

近日,證監(jiān)會(huì)正式披露了深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“納設(shè)智能”)的首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告,這標(biāo)志著納設(shè)智能正式啟動(dòng)了上市進(jìn)程。

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.5k 0

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.5k 0

中電化合物榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”

近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào),其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具...

2024-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC華大半導(dǎo)體 2.5k 0

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤及其對(duì)穩(wěn)健性的影響

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤及其對(duì)穩(wěn)健性的影響

為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極?盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物,但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更...

2022-08-04 標(biāo)簽:電容器二極管MOSFET 2.5k 0

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車(chē)型

前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車(chē)型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車(chē)型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車(chē)型。

2023-11-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.5k 0

瞻芯電子榮登投中2023“銳公司100榜單”

近兩年來(lái),瞻芯電子快速推出了過(guò)百款產(chǎn)品,其中既有高品質(zhì)、高可靠的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET,也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片和模擬PFC控制芯片,...

2023-12-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅瞻芯電子 2.5k 0

Qorvo收購(gòu)碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC

Qorvo 已收購(gòu)了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)...

2021-12-22 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 2.5k 0

瞻芯電子推出車(chē)規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

瞻芯電子推出車(chē)規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

為了滿(mǎn)足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開(kāi)發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...

2024-12-02 標(biāo)簽:肖特基二極管SBDSiC 2.5k 0

國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場(chǎng)應(yīng)用新篇章

在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。近期,國(guó)內(nèi)兩家...

2024-07-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅芯塔電子 2.5k 0

大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)(PVT)是最適合AIN襯底制備的方法。

2023-12-28 標(biāo)簽:SiC 2.5k 0

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

2023-10-11 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管SiC 2.5k 0

SiC應(yīng)用加速上車(chē),清純半導(dǎo)體搶占國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)

 綜合中汽協(xié)與EVvolumes.com的數(shù)據(jù),新能源汽車(chē)行業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。我國(guó)在2021年、2022年和2023年的新能源汽車(chē)銷(xiāo)量分別達(dá)到了3...

2024-11-01 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFETSiC 2.5k 0

士蘭微電子亮相ASTC 2025中國(guó)家電科技年會(huì)

2025年12月11日上午,ASTC2025中國(guó)家電科技年會(huì)——家電用集成電路應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)在武漢開(kāi)幕,士蘭微電子IPM產(chǎn)品線(xiàn)總經(jīng)理吳美飛代表公司出席本次會(huì)議。

2025-12-22 標(biāo)簽:士蘭微電子家電SiC 2.5k 0

SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)

SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特性,使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用,特別是在DC/DC轉(zhuǎn)...

2024-11-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 2.5k 0

SiC的優(yōu)勢(shì)及典型設(shè)備

在為功率轉(zhuǎn)換選擇高功率開(kāi)關(guān)器件時(shí),過(guò)去只有兩個(gè)選擇,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的應(yīng)用如AC-DC轉(zhuǎn)換器,逆變器,DC-DC轉(zhuǎn)換器等,都達(dá)到了...

2019-10-05 標(biāo)簽:電源安森美SiC 2.5k 0

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè):上海陸芯獲數(shù)億元D輪融資,強(qiáng)化車(chē)規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)突破

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè):上海陸芯獲數(shù)億元D輪融資,強(qiáng)化車(chē)規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)突破

月初,上海陸芯電子科技有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)上海陸芯)由多家戰(zhàn)略投資方攜手引領(lǐng)的數(shù)億元D輪融資已經(jīng)落實(shí),投資方包括盛宇華天產(chǎn)業(yè)基金等,將為上海陸芯加快全面復(fù)...

2022-06-20 標(biāo)簽:SiC 2.4k 0

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  • 快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
  • 無(wú)線(xiàn)供電
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
  • 寧德時(shí)代
    寧德時(shí)代
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    艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
    快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
  • Qi標(biāo)準(zhǔn)
    Qi標(biāo)準(zhǔn)
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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     BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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    手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
  • A4WP
    A4WP
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    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
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  • 太陽(yáng)能充電
    太陽(yáng)能充電
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  • PSR
    PSR
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  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
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    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
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  • DCDC電源
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    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
  • 納微半導(dǎo)體
    納微半導(dǎo)體
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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