SiC相對(duì)于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢如何

碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn)，即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今，出于多種原因，希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...

2023-10-13 標(biāo)簽：處理器MOSFET場效應(yīng)晶體管 2.3k 0

IGBT、SiC國產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來快速發(fā)展機(jī)遇期

分 8 寸和 12 寸廠看，2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%...

2023-02-03 標(biāo)簽：IGBT晶圓代工SiC 2.3k 0

SiC外延設(shè)備廠商芯三代擬A股IPO，已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案

中國股市監(jiān)管機(jī)構(gòu)回溯審核過芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司向公眾發(fā)行股票的準(zhǔn)備情況，并對(duì)其官方文件進(jìn)行公示。

2024-02-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.3k 0

到2025年底,國產(chǎn)SiC元件將大規(guī)模進(jìn)軍電動(dòng)汽車市場

據(jù)行業(yè)內(nèi)部權(quán)威人士透露，中國碳化硅（SiC）芯片市場正迎來一場價(jià)格革命，預(yù)計(jì)未來兩年內(nèi)其價(jià)格降幅或?qū)⒏哌_(dá)30%。這一積極展望主要得益于本土生產(chǎn)商在電動(dòng)汽...

2024-08-01 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車芯片SiC 2.3k 0

新應(yīng)用的出現(xiàn)將推動(dòng)碳化硅電力電子器件市場的發(fā)展

雖然SiC 可以通過人工制成，但加工過程卻極其困難，因此sic功率元器件如何量產(chǎn)一直是業(yè)界的難題。羅姆在這方面已經(jīng)擁有近30年經(jīng)驗(yàn)，2012年3月就開始...

2020-09-28 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體電子元件 2.3k 0

成本低質(zhì)量還高，國產(chǎn)廠商新突破帶來SiC成本拐點(diǎn)？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來國內(nèi)的SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)展神速，除了上游廠商陸續(xù)放出8英寸襯底的進(jìn)展之外，還有多家襯底廠商與海外半導(dǎo)體巨頭簽下供應(yīng)協(xié)議。...

2023-07-12 標(biāo)簽：SiC 2.3k 0

國家政策支持，中國功率半導(dǎo)體將迎來黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機(jī)

盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設(shè)備支持，包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐...

2024-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2.3k 0

合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產(chǎn)能將大幅提升

據(jù)了解，世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術(shù)。

2024-04-23 標(biāo)簽：晶體SiC襯底 2.3k 0

廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只

新的一年，許多碳化硅企業(yè)紛紛開工，龍騰虎躍開新篇！廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn)，全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只。

2024-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 2.3k 0

2024年數(shù)明半導(dǎo)體產(chǎn)品回顧

2024年，數(shù)明半導(dǎo)體在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)深耕，不斷突破創(chuàng)新，推出了一系列優(yōu)秀產(chǎn)品，涵蓋高效節(jié)能的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、安全可靠的隔離驅(qū)動(dòng)芯片、高度集成的數(shù)字隔...

2025-01-02 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器數(shù)字隔離器SiC 2.3k 0

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)，開關(guān)損耗降低85％

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采...

2012-03-23 標(biāo)簽：SiC功率模塊羅姆 2.3k 0

芯干線科技上半年銷售額同比增長265%

2025年上半年，芯干線科技交出一份卓越的成績單：銷售額同比增長265%，多行業(yè)、全產(chǎn)品線強(qiáng)勢爆發(fā)！

2025-07-07 標(biāo)簽：IGBTSiC移動(dòng)電源 2.3k 0