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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合，效率顯著提高

ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與120...

2023-02-13 標簽：轉換器控制IC SiC 1.4k 0

傾佳電子碳化硅在電網(wǎng)穩(wěn)定技術中的崛起：SVG拓撲趨勢及SiC功率器件變革性價值的技術分析

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2025-10-09 標簽：電網(wǎng)SiC SVG 1.4k 0

電源設計說明：讓我們使用SiC MOSFET構建雙向降壓-升壓轉換器

隨著高效蓄能器（電池和超級電容器）的大量使用，趨勢是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉換器可以保持電池健康并延長其使用壽命。

2022-08-05 標簽：MOSFET 電源設計升壓轉換器 1.4k 0

瑞薩也要做SiC，2025年量產(chǎn)

與競爭對手相比，瑞薩發(fā)現(xiàn)自己落后了。該公司總裁 Hidetoshi Shibata 周五告訴記者，該公司“在傳統(tǒng)功率半導體領域是后來者，但現(xiàn)在我們的產(chǎn)品...

2023-05-22 標簽：瑞薩 SiC 碳化硅 1.4k 0

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2022-01-11 標簽：SiC 1.4k 0

硅基時代的黃昏：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當效率差距跨越臨界點，IGBT被淘汰便是唯一結局傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模...

2025-05-30 標簽：MOSFET IGBT SiC 1.4k 0

SIC是否能成為光伏發(fā)電的再生能源？

光伏發(fā)電是SIC器件除新能源汽車領域之外的第二個應用領域。光伏逆變器作為光伏電站的轉換設備，主要用于將太陽能電池組件發(fā)出的直流電轉換為交流電。隨著光伏產(chǎn)...

2023-08-29 標簽：光伏發(fā)電 SiC 1.4k 0

SiC國產(chǎn)化趨勢加速！

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。

2023-11-14 標簽：集成電路半導體 SiC 1.4k 0

揚杰科技攜功率器件新品亮相PCIM Asia 2025

9月24-26日，PCIM Asia 2025在上海新國際博覽中心舉辦，本屆展會聚焦電氣化交通、太陽能與風能、儲能、氫能、人工智能和數(shù)據(jù)中心的電力電子應...

2025-09-30 標簽：SiC 功率半導體揚杰科技 1.4k 0

聯(lián)合SiC的FET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結果

2023-09-27 標簽：FET SiC 1.4k 0

方正微電子亮相2025慕尼黑上海電子展

方正微電子攜碳化硅全場景解決方案，亮相上海慕尼黑電子展，這場以“車規(guī)碳化硅功率專家”為核心的場景化展示，引來了客戶、媒體、同行矚目，紛紛來展臺交流參觀，...

2025-04-17 標簽：SiC 碳化硅慕尼黑上海電子展 1.4k 0

追加400億！英飛凌又要擴產(chǎn)了！

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2022年2月，英飛凌宣布將投資超過20億歐元（合計約144億人民幣）擴大SiC 和 GaN半導體的產(chǎn)能，他們將在其馬來西亞...

2023-08-04 標簽：英飛凌 SiC 儲能系統(tǒng) 1.4k 0

4.5億訂單！這3家SiC企業(yè)聯(lián)手

譜析光晶于2020年創(chuàng)立，今年7月，譜析光晶完成了Pre-B輪融資，資金主要用于進一步完善公司碳化硅生產(chǎn)基地的建設和光伏儲能領域的研發(fā)投入。近兩年，譜析...

2023-09-27 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.4k 0

具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H

2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31...

2023-08-25 標簽：MOSFET 電壓 SiC 1.4k 0

東芝半導體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導體

2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。

2024-03-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.4k 0

半導體屆“小紅人”—WAYON維安碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩

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納微半導體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

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2023-12-15 標簽：二極管 MOSFET SiC 1.4k 0

MDD辰達半導體榮獲“深圳知名品牌”稱號！

3月5日，深圳知名品牌評價委員會召開第二十一屆“深圳知名品牌”評審會議，共計113個品牌入選新一屆深圳知名品牌。新一屆榜單已經(jīng)塵埃落定，MDD辰達半導體...

2024-03-14 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1.4k 0

全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊，實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控！

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2024-12-30 標簽：IGBT SiC 碳化硅 1.4k 0

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電氣化正在推動SiC半導體的增長，由于其具備快速開關能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能，電動汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細分市場都轉向SiC電源解決方...

2023-04-09 標簽：電源 SiC 模擬器 1.4k 0

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