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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊
賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對...
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
中機(jī)新材與南砂晶圓達(dá)成戰(zhàn)略合作，涉足SiC晶圓研磨拋光領(lǐng)域
5月23日， 中機(jī)新材對外宣布與南砂晶圓達(dá)成戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。中機(jī)新材專注于高性能研磨拋光材料，尤其硬脆材料在先進(jìn)制造過程中的應(yīng)用，目前已在SiC晶圓研...
IGBT還是SiC？英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價比電驅(qū)
如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 標(biāo)簽：泰克混合信號測試系統(tǒng) 1.4k 0
科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
在新能源汽車高速發(fā)展的浪潮中，主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動系統(tǒng)的核心部件，直接影響整車的動力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫...
在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施對以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的要求的推動下，不間斷電源 (UPS) 市場預(yù)計將在未來幾年顯著增長。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更加數(shù)字化的...
2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心SiC 1.4k 0
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管...
2022年3月，昕感科技完成超億元A輪融資，由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...
近萬人參會!2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會在武漢召開
?4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會在武漢中國光谷科技會展中心開幕。海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂，9位國內(nèi)外院士、300...
又一國產(chǎn)SiC進(jìn)入量產(chǎn)階段，年產(chǎn)值40億指日可待！
芯粵能成立于2021年5月，是一家面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域?qū)Ｗ⑻蓟栊酒圃旌脱邪l(fā)的Foundry公司，芯粵能總投資75億元人民幣規(guī)劃SiC產(chǎn)能，包含一期規(guī)...
基于簡單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長
雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...
用于SiC應(yīng)用的低電感可編程柵極驅(qū)動器模塊
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆...
意法半導(dǎo)體、博格華納簽署車規(guī)碳化硅器件供應(yīng)協(xié)議
據(jù)報道，博格華納將使用第三代750v sic mosfet芯片作為現(xiàn)在和未來沃爾沃bev型號的牽引變頻。在此之前，博格華納已經(jīng)與安森美簽訂了10億美元的...
揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國國際儲能大會
CESC2024中國國際儲能大會暨智慧儲能技術(shù)及應(yīng)用展覽會于2024年4月23日在南京新國際博覽中心拉開帷幕，揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相，圍繞...
新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5系列10-80A 2000V
新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達(dá)1500VDC的高直流母線系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了更高...
芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊...
2024-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體SiC 1.4k 0
硅來半導(dǎo)體SiC晶錠激光切割效率躍升50%：重構(gòu)寬禁帶半導(dǎo)體制造新范式
硅來半導(dǎo)體近日宣布其新一代SiC晶錠激光切割設(shè)備實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破——單片切割時間從15分鐘壓縮至10分鐘，效率提升50%，標(biāo)志著碳化硅材料加工環(huán)節(jié)正式進(jìn)...
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