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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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電源設(shè)計說明：讓我們使用SiC MOSFET構(gòu)建雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

隨著高效蓄能器（電池和超級電容器）的大量使用，趨勢是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長其使用壽命。

2022-08-05 標簽：MOSFET 電源設(shè)計升壓轉(zhuǎn)換器 1.4k 0

使用 WBG 半導體進行設(shè)計需要更多的奉獻精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。據(jù)chip稱，硅（Si）基半導體比寬帶隙（WBG）半導體領(lǐng)先十...

2022-08-05 標簽：半導體設(shè)計 SiC 1.9k 0

碳化硅、氮化鎵：注意帶隙

近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。S...

2022-08-05 標簽：電動汽車半導體 SiC 1.2k 0

使用SiC實現(xiàn)太陽能和可再生能源功率轉(zhuǎn)換

Wolfspeed SiC 目前支持廣泛的應(yīng)用，因為事實證明，基于 SiC 的解決方案比傳統(tǒng)的基于 Si 的解決方案具有更高的效率、功率密度和系統(tǒng)成本效...

2022-08-04 標簽：功率轉(zhuǎn)換 SiC 可再生能源 1.1k 0

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計中的錯誤及其對穩(wěn)健性的影響

為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更...

2022-08-04 標簽：電容器二極管 MOSFET 2.5k 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開關(guān)損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對于最大限度地減少開關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達到每納秒數(shù)安培。這會...

2022-08-04 標簽：emi FET SiC 2.1k 0

關(guān)于碳化硅的 10 件事

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機...

2022-08-04 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.9k 0

使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

我們知道，技術(shù)教育不僅需要理論知識，還需要實踐知識和動手經(jīng)驗，讓學生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學生理解諸如電路設(shè)計概念之類的...

2022-08-04 標簽：設(shè)計電力電子 SiC 991 0

電源設(shè)計說明：使用SiC進行蒙特卡羅分析

圖 1中的圖表顯示了一個典型的 RC 電路，其中電容器充電的時間取決于時間常數(shù)。準確地說，RC秒后電壓達到電源電壓的63%左右。在這種情況下，電容器兩端...

2022-08-04 標簽：電源設(shè)計升壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.2k 0

用于電動汽車下一個高壓應(yīng)用的碳化硅

目前，標準硅器件仍占電力電子市場的大部分。雖然許多公司正在開發(fā)新的電路拓撲以提高硅器件的效率，尤其是三電平拓撲，但新的碳化硅解決方案正在作為一種新的半導...

2022-08-04 標簽：半導體 SiC 碳化硅 987 0

羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這個新工廠包括工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù)，以實現(xiàn)更綠色的制造過程。 ...

2022-08-04 標簽：半導體功率器件 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路及其影響因素

兩個重要變量（例如閾值電壓和結(jié)溫）之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化，因為觀察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開爾文源和電源...

2022-08-04 標簽：電容器 MOSFET MOS管 3.3k 0

SiC MOSFET 短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析

電力電子技術(shù)在日常生活中越來越普遍，尤其是現(xiàn)在，當我們正經(jīng)歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 2.2k 0

碳化硅 MOSFET 取代電動汽車雙向充電器中的 IGBT

電動汽車 (EV) 以及更普遍的電動汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時間。長期以來，電動汽車一直被認為是弱點之一，充電時間逐漸縮短，采用快速...

2022-08-03 標簽：MOSFET 半導體 IGBT 3.4k 0

碳化硅嵌入式漏極 MOSFET 助力“登月火星”任務(wù)

晶圓鍵合是一種廣泛用于開發(fā)和成功生產(chǎn)微機械傳感器和執(zhí)行器 (MEMS) 的工藝。由于它能夠通過多個晶片的精確和牢固附著來實現(xiàn)復(fù)雜的微納米結(jié)構(gòu)，因此它肯定...

2022-08-03 標簽：MOSFET 半導體嵌入式 1.1k 0

用1,700V SiC MOSFET替換IGBT

Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過采用具有更少部件和更簡單控制方案的兩電平拓撲克服了 IGBT 的困難。沒有開關(guān)限制，功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...

2022-08-03 標簽：MOSFET IGBT SiC 1.9k 0

改進碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動汽車和新能源等市場的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進制造工藝并專注于...

2022-08-03 標簽：半導體晶圓設(shè)計 3k 0

擴大碳化硅晶圓供應(yīng)

在環(huán)境問題、國家法規(guī)和消費者壓力的推動下，全球汽車電氣化競賽正在進行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導體，一直是電動汽車(EV)的技術(shù)加速器，因為它提...

2022-08-03 標簽：半導體 SiC 碳化硅 527 0

SiC MOSFET柵極漏電流估計的原位方法

根據(jù)實際測量的柵極電流計算柵極漏電流是一項挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計算過程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解...

2022-08-03 標簽：MOSFET SiC 漏電流 4.5k 0

SiC FET實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性的解決方案

為了滿足設(shè)計人員對更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性，最顯著的是 750 V、6 m...

2022-08-03 標簽：半導體場效應(yīng)管 SiC 1.9k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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