模擬技術(shù)
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全球大廠帶節(jié)奏，日本功率半導(dǎo)體市場(chǎng)承受壓力
近日，日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝，聯(lián)合發(fā)布聲明，計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。...
2023-12-21 標(biāo)簽：SiCGaN存儲(chǔ)芯片功率半導(dǎo)體功率芯片 822
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度，從而...
2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFET高頻開關(guān)功率半導(dǎo)體碳化硅 1971
碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)
磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來說是十分重要的。...
2023-12-21 標(biāo)簽：CMP碳化硅半導(dǎo)體芯片 3059
氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。...
碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而可以減少功率器件...
2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1108
英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦
英飛凌（Infineon）作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者，一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系...
特斯拉為何對(duì)碳化硅忽冷忽熱？
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料，鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn)，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現(xiàn)今，90％以上的芯片都...
2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件碳化硅 561
碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)研究
過去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。...
2023-12-20 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體碳化硅 2011
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析（下）
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。...
2023-12-20 標(biāo)簽：MOSFET電磁干擾SiC寄生電感驅(qū)動(dòng)電壓 10498
大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展
在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期，推升了對(duì)SiC襯底產(chǎn)能的需求。...
金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。...
計(jì)算機(jī)、晶體管的問世，MOSFET的創(chuàng)新與制造技術(shù)
晶體管可以用微小的電量控制大量電流的流動(dòng)，可謂是顛覆性的創(chuàng)造?？茖W(xué)家發(fā)現(xiàn)，只要使用以下兩種半導(dǎo)體元件，就可以輕而易舉地連接或斷開信號(hào)。...
2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFETcpu計(jì)算機(jī)晶體管半導(dǎo)體元件 1619
中國(guó)功率器件大市場(chǎng)分析報(bào)告
國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。...
2023-12-18 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶閘管晶體管功率半導(dǎo)體 1789
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變（IGBT/SiC/GaN）
報(bào)告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）...
2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiCGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1145
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析（上）
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。...
2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFETemc電磁干擾SiC驅(qū)動(dòng)電壓 8152
HOLTEK新推出HT74173 6V/3A/1.2MHz同步降壓轉(zhuǎn)換器
Holtek新推出一款應(yīng)用于攜帶式按摩器、玩具及投線儀等攜帶式產(chǎn)品的同步降壓轉(zhuǎn)換器HT74173。...
2023-12-15 標(biāo)簽：Holtek肖特基二極管同步降壓轉(zhuǎn)換器電壓信號(hào) 2950
一種電容加載腔體帶通濾波器的設(shè)計(jì)方案
若濾波器采用空腔諧振器作為基本諧振單元，利用λg/2作為諧振腔長(zhǎng)度，由上述理論分析可知，將并聯(lián)電容加載在半波長(zhǎng)空腔諧振器中，可以在諧振頻率不變的情況下減小腔體諧振器尺寸。...
2023-12-15 標(biāo)簽：濾波器微波無源器件雷達(dá)系統(tǒng)電磁仿真 2063
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。...
2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵GaN 1937
納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
12月13-14日，由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于深圳國(guó)際會(huì)展中心皇冠假日酒店隆重舉辦，...
2023-12-15 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC碳化硅納微半導(dǎo)體 1397
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。...
2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS載流子閾值電壓 12782
Gel-Pak真空釋放盒砷化鎵芯片儲(chǔ)存解決方案
上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件....
2023-12-14 標(biāo)簽：功率放大器光通信砷化鎵射頻開關(guān)MMIC 1887
pipeline ADC的實(shí)現(xiàn)原理及基本結(jié)構(gòu)（2）
直接將轉(zhuǎn)移特性曲線向下平移Vref/2，也就是將輸出給下一級(jí)的殘差減小Vref/2（這是級(jí)間放大后的結(jié)果，從放大前角度看就是Vref/4），通過上述分析，這么做就可以直接對(duì)輸出進(jìn)行錯(cuò)位相加了。...
ADC架構(gòu)的無采樣保持(SHA-less)結(jié)構(gòu)分析
這種結(jié)構(gòu)依然存在一些弊端， MDAC和子ADC的信號(hào)輸入路徑可能存在不匹配，也就是開關(guān)的RC時(shí)間常數(shù)的不匹配，導(dǎo)致在輸入頻率很高時(shí)，可能導(dǎo)致采樣的信號(hào)存在很大的差異(孔徑誤差)。...
2023-12-14 標(biāo)簽：運(yùn)放電路adc比較器開關(guān)電容 2342
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